| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 1 引言 | 第12-14页 |
| 2 绪论 | 第14-50页 |
| 2.1 ZnO材料的基本性质 | 第14-22页 |
| 2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第16页 |
| 2.1.2 ZnO的能带结构 | 第16-17页 |
| 2.1.3 ZnO的光学特性 | 第17-19页 |
| 2.1.4 ZnO的电学特性 | 第19-21页 |
| 2.1.5 ZnO的压电特性 | 第21-22页 |
| 2.2 ZnO材料的制备、表征与应用 | 第22-32页 |
| 2.2.1 ZnO材料常用的制备方法 | 第23-27页 |
| 2.2.2 ZnO材料常用的表征技术 | 第27-31页 |
| 2.2.3 ZnO材料的应用 | 第31-32页 |
| 2.3 ZnO发光二极管 | 第32-38页 |
| 2.3.1 半导体异质结 | 第32-35页 |
| 2.3.2 发光二极管 | 第35-36页 |
| 2.3.3 ZnO基异质结发光二极管的研究进展 | 第36-38页 |
| 2.4 ZnO紫外探测器 | 第38-48页 |
| 2.4.1 紫外探测器的分类和原理 | 第39-41页 |
| 2.4.2 紫外探测器的特性参数 | 第41-43页 |
| 2.4.3 ZnO基自驱动紫外探测器研究进展 | 第43-48页 |
| 2.5 研究目的和内容 | 第48-50页 |
| 3 ZnO材料的可控制备与表征 | 第50-64页 |
| 3.1 ZnO薄膜的制备与表征 | 第50-56页 |
| 3.1.1 实验设备和材料 | 第50-51页 |
| 3.1.2 实验流程和工艺 | 第51-52页 |
| 3.1.3 ZnO薄膜的形貌和结构表征 | 第52-54页 |
| 3.1.4 ZnO薄膜的光学性能表征 | 第54-55页 |
| 3.1.5 ZnO薄膜的电学性能表征 | 第55-56页 |
| 3.2 ZnO纳米棒阵列的制备与表征 | 第56-62页 |
| 3.2.1 实验试剂和设备 | 第56-57页 |
| 3.2.2 实验流程和工艺 | 第57-58页 |
| 3.2.3 ZnO纳米棒阵列的形貌和结构 | 第58-60页 |
| 3.2.4 ZnO纳米棒阵列的光学性能表征 | 第60页 |
| 3.2.5 生长液浓度对ZnO纳米棒阵列形貌的影响 | 第60-62页 |
| 3.3 小结 | 第62-64页 |
| 4 n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管器件 | 第64-73页 |
| 4.1 n-ZnO/p-GaN发光二极管器件的构筑 | 第65-66页 |
| 4.2 器件的性能测试 | 第66-70页 |
| 4.3 器件的发光机制的研究 | 第70-71页 |
| 4.4 小结 | 第71-73页 |
| 5 基于ZnO的全无机pn异质结自驱动紫外光探测器 | 第73-90页 |
| 5.1 n-ZnO/p-GaN异质结自驱动紫外探测器 | 第73-81页 |
| 5.1.1 ZnO/p-GaN异质结紫外探测器的制备 | 第74-76页 |
| 5.1.2 器件的自驱动光电响应性能研究 | 第76-81页 |
| 5.2 n-ZnO/p-NiO异质结自驱动紫外探测器 | 第81-88页 |
| 5.2.1 ZnO/p-NiO异质结紫外探测器的制备 | 第82-85页 |
| 5.2.2 器件的自驱动光电响应性能研究 | 第85-88页 |
| 5.3 小结 | 第88-90页 |
| 6 基于ZnO的有机/无机杂化异质结自驱动紫外探测器 | 第90-100页 |
| 6.1 ZnO/Spiro-MeOTAD异质结紫外探测器的制备 | 第90-93页 |
| 6.2 器件的自驱动光电响应性能研究 | 第93-96页 |
| 6.3 应变对ZnO/Spiro-MeOTAD光探测器性能的影响 | 第96-98页 |
| 6.4 应变调控光响应性能的机理分析 | 第98-99页 |
| 6.5 小结 | 第99-100页 |
| 7 结论 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-117页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第117-121页 |
| 学位论文数据集 | 第121页 |
