| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 紫外探测技术 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN基紫外探测器的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3.1 GaN材料的基本物性 | 第14页 |
| 1.3.2 GaN材料应用于紫外探测器的优势 | 第14-15页 |
| 1.4 GaN基紫外探测器国内外研究概况 | 第15-19页 |
| 1.4.1 光电导紫外探测器 | 第15页 |
| 1.4.2 光伏型紫外探测器 | 第15-19页 |
| 1.5 制约GaN基紫外探测器发展的因素及解决方法 | 第19-20页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 外延实验准备及其表征方法 | 第21-28页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 设备简介及薄膜表征方法 | 第21-24页 |
| 2.2.1 PLD及MBE设备简介 | 第21-22页 |
| 2.2.2 外延薄膜生长原理 | 第22-24页 |
| 2.3 薄膜表征方法 | 第24-28页 |
| 2.3.1 反射高能电子衍射仪 | 第25页 |
| 2.3.2 高分辨X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第26页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3.6 拉曼散射 | 第27-28页 |
| 第三章 MBE外延生长Al缓冲层 | 第28-38页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 Al缓冲层的外延生长及其机理研究 | 第28-37页 |
| 3.2.1 蓝宝石上Al缓冲层的外延生长及其机理研究 | 第28-35页 |
| 3.2.2 Si衬底上Al缓冲层的外延生长 | 第35-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 PLD外延生长GaN薄膜 | 第38-52页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 Al缓冲层厚度对GaN薄膜的影响 | 第38-45页 |
| 4.2.1 GaN薄膜晶体质量和表面形貌 | 第38-43页 |
| 4.2.2 GaN薄膜应力状态和界面性能 | 第43-45页 |
| 4.3 不同温度条件下GaN薄膜外延生长研究 | 第45-51页 |
| 4.3.1 GaN薄膜晶体质量和表面形貌表征 | 第45-49页 |
| 4.3.2 GaN薄膜应力状态分析 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 MSM型紫外探测器设计、制备与测试 | 第52-66页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 工作原理及物理参数 | 第52-55页 |
| 5.2.1 工作原理 | 第52-54页 |
| 5.2.2 基本参数及其物理意义 | 第54-55页 |
| 5.3 叉指电极设计 | 第55-56页 |
| 5.3.1 叉指电极结构尺寸设计 | 第55-56页 |
| 5.3.2 叉指电极材料的选择 | 第56页 |
| 5.4 MSM型紫外探测器的制备 | 第56-60页 |
| 5.4.1 样品的清洗 | 第56-57页 |
| 5.4.2 光刻 | 第57-58页 |
| 5.4.3 电子束蒸发蒸镀电极 | 第58页 |
| 5.4.4 电极剥离工艺 | 第58-59页 |
| 5.4.5 封装处理 | 第59-60页 |
| 5.5 测试与分析 | 第60-65页 |
| 5.5.1 光谱响应探测平台 | 第60-62页 |
| 5.5.2 性能测试 | 第62-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第83页 |