| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 TFT简介 | 第10-11页 |
| 1.3 TFT种类 | 第11-13页 |
| 1.3.1 a-Si:H TFT | 第11页 |
| 1.3.2 LTPS-TFT | 第11页 |
| 1.3.3 OTFT | 第11-12页 |
| 1.3.4 MOTFT | 第12-13页 |
| 1.4 MOTFT的原理 | 第13-16页 |
| 1.5 MOTFT的器件结构 | 第16-18页 |
| 1.6 MOTFT的制备技术 | 第18-19页 |
| 1.7 MOTFT的应用 | 第19-21页 |
| 1.8 本论文的研究目的和工作内容 | 第21-23页 |
| 第二章 高性能双有源层结构MOTFT器件的研究 | 第23-36页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 器件制备 | 第23-26页 |
| 2.3 器件性能 | 第26-34页 |
| 2.3.1 退火温度对器件性能的影响 | 第26-27页 |
| 2.3.2 有源层成分对器件性能的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.3 器件的均匀性 | 第28页 |
| 2.3.4 有源层薄膜的表征 | 第28-31页 |
| 2.3.5 HIZO/LIZO薄膜厚度对器件性能的影响 | 第31-33页 |
| 2.3.6 正负栅偏压稳定性 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 高迁移率MOTFT器件的研究 | 第36-55页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 低温、高迁移率有源层材料设计思路 | 第36-37页 |
| 3.3 器件制备 | 第37-38页 |
| 3.4 器件性能 | 第38-49页 |
| 3.4.1 氧化物薄膜的表征 | 第38-44页 |
| 3.4.2 Sc含量对器件性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 退火温度对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.4 正负栅偏压稳定性 | 第47-49页 |
| 3.5 光刻和Lift-Off工艺探索 | 第49-54页 |
| 3.5.1 光刻工艺制备有源层 | 第49-50页 |
| 3.5.2 刻蚀时间对器件性能的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.3 Lift-Off工艺制备源漏电极 | 第51-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 低温柔性MOTFT器件的研究 | 第55-70页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 实验过程 | 第56-59页 |
| 4.3 柔性器件性能 | 第59-68页 |
| 4.3.1 氧化物薄膜的表征 | 第59-61页 |
| 4.3.2 有源层材料对器件性能的影响 | 第61-62页 |
| 4.3.3 De-bonding特性 | 第62-63页 |
| 4.3.4 正负栅偏压稳定性 | 第63-65页 |
| 4.3.5 正负栅偏压光照稳定性 | 第65-67页 |
| 4.3.6 不同曲率半径下的柔性TFT性能 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 溶液法制备基于水溶液的MOTFT器件 | 第70-81页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 选择ScInO材料的优势 | 第70-71页 |
| 5.3 器件制备 | 第71-72页 |
| 5.4 器件性能 | 第72-79页 |
| 5.4.1 前驱体溶液浓度对器件性能的影响 | 第72-73页 |
| 5.4.2 退火温度对器件性能的影响 | 第73-74页 |
| 5.4.3 有源层薄膜的表征 | 第74-77页 |
| 5.4.4 Sc含量对器件性能的影响 | 第77-79页 |
| 5.4.5 栅偏压稳定性 | 第79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-92页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 附件 | 第95页 |