| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第13页 |
| 1.3 TFT的应用领域 | 第13-16页 |
| 1.3.1 TFT在液晶显示中（AMLCD）的应用 | 第13-14页 |
| 1.3.2 TFT在有机发光二极管显示中（AMOLED）的应用 | 第14-16页 |
| 1.4 薄膜晶体管的重要类型 | 第16-19页 |
| 1.4.1 氢化非晶硅TFT | 第16页 |
| 1.4.2 LTPS TFT | 第16-17页 |
| 1.4.3 有机TFT | 第17页 |
| 1.4.4 MO-TFT | 第17-19页 |
| 1.5 MO-TFT的工作原理 | 第19-21页 |
| 1.5.1 MO-TFT的导电机理 | 第19-20页 |
| 1.5.2 器件结构 | 第20-21页 |
| 1.5.3 MO-TFT的工作原理 | 第21页 |
| 1.6 MO-TFT的性能参数 | 第21-23页 |
| 1.6.1 载流子迁移率 | 第21-22页 |
| 1.6.2 亚阈值摆幅 | 第22页 |
| 1.6.3 电流开关比 | 第22-23页 |
| 1.6.4 开启电压或阈值电压 | 第23页 |
| 1.6.5 稳定性 | 第23页 |
| 1.7 本论文工作 | 第23-25页 |
| 第二章 热压烧结靶材的制备工艺和质量影响因素 | 第25-34页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 烧结类型和原理 | 第25-27页 |
| 2.2.1 烧结类型 | 第25-26页 |
| 2.2.2 热压烧结原理 | 第26-27页 |
| 2.3 制备工艺 | 第27-31页 |
| 2.3.1 混合粉体制备 | 第27-29页 |
| 2.3.2 热压烧结 | 第29-30页 |
| 2.3.3 后期处理 | 第30-31页 |
| 2.4 重要性能参数（表征方式） | 第31-33页 |
| 2.4.1 靶材密度 | 第31-32页 |
| 2.4.2 微观组织形貌 | 第32页 |
| 2.4.3 物相分析 | 第32-33页 |
| 2.4.4 透过率 | 第33页 |
| 2.4.5 TFT半导体特性 | 第33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 热压烧结制备IZO靶材 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 制备流程 | 第34-36页 |
| 3.3 IZO(20wt.% In_2O_3)靶材性能表征 | 第36-40页 |
| 3.3.1 靶材形貌 | 第36-37页 |
| 3.3.2 靶材物相分析 | 第37页 |
| 3.3.3 靶材微观结构 | 第37-40页 |
| 3.3.4 靶材寿命 | 第40页 |
| 3.4 IZO(50 wt.% In_2O_3)靶材性能表征 | 第40-43页 |
| 3.4.1 靶材形貌 | 第40页 |
| 3.4.2 靶材物相分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 靶材微观结构 | 第41-43页 |
| 3.4.4 靶材寿命 | 第43页 |
| 3.5 IZO (63wt.% In_2O_3) 靶材性能表征 | 第43-45页 |
| 3.5.1 物相分析 | 第43-44页 |
| 3.5.2 微观形貌 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 热压靶材制备IZO TFT | 第47-67页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 IZO TFT制备 | 第47-49页 |
| 4.2.1 基片清洗 | 第48页 |
| 4.2.2 器件制备 | 第48-49页 |
| 4.3 IZO (20wt.% In_2O_3) 薄膜以及TFT性能表征 | 第49-54页 |
| 4.3.1 薄膜透过率 | 第49页 |
| 4.3.2 转移输出性能分析 | 第49-52页 |
| 4.3.3 均一性和可重复性 | 第52页 |
| 4.3.4 栅偏压稳定性 | 第52-53页 |
| 4.3.5 溅射功率对器件性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 IZO（50 wt.% In_2O_3）TFT性能表征 | 第54-62页 |
| 4.4.1 转移输出特性 | 第54-56页 |
| 4.4.2 退火温度的影响 | 第56-58页 |
| 4.4.3 溅射气氛的影响 | 第58-59页 |
| 4.4.4 有源层厚度的影响 | 第59-61页 |
| 4.4.5 均一性和稳定性 | 第61-62页 |
| 4.5 IZO(63wt.% In_2O_3)TFT的性能表征 | 第62-64页 |
| 4.5.1 转移输出特性和均一性 | 第62-64页 |
| 4.5.2 栅偏压稳定性 | 第64页 |
| 4.6 不同In_2O_3含量的靶材和器件性能比较 | 第64-66页 |
| 4.7 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 NIZO TFT的制备及表征 | 第67-74页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 实验 | 第67-68页 |
| 5.3 性能表征及讨论 | 第68-73页 |
| 5.3.1 薄膜成分和界面 | 第69页 |
| 5.3.2 薄膜结构和形貌 | 第69-70页 |
| 5.3.3 TFT特性以及薄膜透过率 | 第70-72页 |
| 5.3.4 栅偏压稳定性 | 第72-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-86页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 附件 | 第89页 |
