| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN HEMT功率器件的优势 | 第11-15页 |
| 1.2.1 GaN材料特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 GaN HEMT对比其他材料器件 | 第12-14页 |
| 1.2.3 GaN功率器件的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN HEMT国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 GaN HEMT的工作机理 | 第19-34页 |
| 2.1 GaN HEMT基本工作原理 | 第19-26页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第19-21页 |
| 2.1.2 2DEG的形成 | 第21-23页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第23-26页 |
| 2.2 GaN HEMT耐压技术及原理 | 第26-30页 |
| 2.3 GaN HEMT增强型实现技术及原理 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 增强型氟离子埋层AlGaN/GaN HEMT功率器件研究 | 第34-46页 |
| 3.1 电荷埋层耐压技术 | 第34-35页 |
| 3.1.1 电荷埋层减小泄漏电流 | 第34页 |
| 3.1.2 电荷埋层优化电场分布 | 第34-35页 |
| 3.2 增强型氟离子埋层AlGaN/GaN HEMT | 第35-40页 |
| 3.2.1 FDG-HEMT的提出 | 第35页 |
| 3.2.2 FDG-HEMT器件结构与工作原理 | 第35-37页 |
| 3.2.3 FDG-HEMT击穿特性分析 | 第37页 |
| 3.2.4 FDG-HEMT导通特性分析 | 第37-38页 |
| 3.2.5 FDG-HEMT参数优化 | 第38-40页 |
| 3.3 FDG- HEMT与其他器件结构性能对比 | 第40-44页 |
| 3.4 FDG- HEMT关键工艺实现研究 | 第44-45页 |
| 3.4.1 FDG- HEMT关键工艺步骤 | 第44页 |
| 3.4.2 FDG- HEMT关键工艺仿真模拟 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 自偏置场板AlGaN/GaN HEMT研究 | 第46-63页 |
| 4.1 自适应偏置场板耐压技术 | 第46页 |
| 4.2 自偏置场板AlGaN/GaN HEMT | 第46-59页 |
| 4.2.1 SBFP-HEMT器件结构与工作原理 | 第46-49页 |
| 4.2.2 SBFP-HEMT击穿特性分析 | 第49-50页 |
| 4.2.3 SBFP-HEMT导通特性分析 | 第50-51页 |
| 4.2.4 SBFP-HEMT参数优化 | 第51-59页 |
| 4.3 SBFP-HEMT与其他结构性能对比 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72-73页 |
