| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 二硫化钼的性质 | 第12-16页 |
| 1.2.1 二硫化钼的原子结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 二硫化钼的带隙 | 第13-15页 |
| 1.2.3 光学性质 | 第15页 |
| 1.2.4 电子学性质 | 第15-16页 |
| 1.3 二硫化钼的应用 | 第16-20页 |
| 1.3.1 场效应晶体管 | 第16-17页 |
| 1.3.2 光电晶体管 | 第17-18页 |
| 1.3.3 柔性透明电子器件 | 第18-19页 |
| 1.3.4 气体传感器 | 第19页 |
| 1.3.5 二次电池 | 第19-20页 |
| 1.4 二硫化钼的制备方法 | 第20-24页 |
| 1.4.1 机械剥离法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 锂离子插层法 | 第21页 |
| 1.4.3 化学气相沉积法 | 第21-22页 |
| 1.4.4 高温热分解法 | 第22-23页 |
| 1.4.5 物理气相沉积法 | 第23页 |
| 1.4.6 原子层沉积法 | 第23-24页 |
| 1.5 基于二硫化钼的场效应晶体管国内外研究现状 | 第24-25页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第27-39页 |
| 2.1 图形化衬底的制备 | 第27-30页 |
| 2.2 二硫化钼薄膜的制备及转移 | 第30-32页 |
| 2.2.1 二硫化钼薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.2 二硫化钼薄膜的转移 | 第31-32页 |
| 2.3.二硫化钼薄膜的表征 | 第32-38页 |
| 2.3.1 光学显微镜表征 | 第32-33页 |
| 2.3.2 拉曼光谱表征 | 第33-36页 |
| 2.3.3 原子力显微镜表征 | 第36-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 衬底及温度对二硫化钼场效应晶体管电学性能影响 | 第39-52页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 实验 | 第40-41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 3.3.1 二硫化钼场效应晶体管电学性能分析 | 第41-48页 |
| 3.3.2 磁滞效应影响因素的研究 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 二硫化钼场效应晶体管击穿特性研究 | 第52-59页 |
| 4.1 二硫化钼场效应晶体管的击穿原理 | 第52-54页 |
| 4.2 二硫化钼场效应晶体管击穿后的电学特性分析 | 第54-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 基于二硫化钼的光敏传感器光敏特性研究 | 第59-67页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 实验 | 第59-60页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第60-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的成果 | 第76页 |