| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 金属表面辐射太赫兹的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2 Cu_2O/金属界面辐射太赫兹的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 硅表面辐射太赫兹的研究现状 | 第12页 |
| 1.4 本文内容 | 第12-14页 |
| 第二章 表面辐射太赫兹的机理和自由空间电光采样技术 | 第14-22页 |
| 2.1 表面辐射太赫兹的基本机理 | 第14-19页 |
| 2.1.1 表面光整流辐射太赫兹 | 第14-16页 |
| 2.1.2 表面光电流辐射太赫兹 | 第16-19页 |
| 2.2 太赫兹的自由空间电光采样技术 | 第19-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 金属表面辐射太赫兹的研究 | 第22-31页 |
| 3.1 金属表面辐射太赫兹的机理 | 第22-27页 |
| 3.1.1 金属表面等离激元的激发 | 第22-24页 |
| 3.1.2 表面等离激元激发下的瞬态光整流 | 第24-25页 |
| 3.1.3 表面等离激元激发下的瞬态光电流 | 第25-27页 |
| 3.2 实验样品与实验装置 | 第27-28页 |
| 3.2.1 实验样品 | 第27页 |
| 3.2.2 实验装置 | 第27-28页 |
| 3.3 实验光路 | 第28-29页 |
| 3.4 实验结果与分析 | 第29-30页 |
| 3.4.1 金属铜表面辐射太赫兹的结果与分析 | 第29页 |
| 3.4.2 金属铜表面氧化后辐射太赫兹 | 第29-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 Cu_2O/金属界面辐射太赫兹的实验研究 | 第31-39页 |
| 4.1 不同条件下铜表面的氧化 | 第31-32页 |
| 4.1.1 氧化亚铜 | 第31页 |
| 4.1.2 氧化铜 | 第31-32页 |
| 4.2 Cu_2O/金属界面太赫兹辐射的机理 | 第32-33页 |
| 4.2.1 内建电场中的瞬态光电流 | 第32-33页 |
| 4.2.2 场致光整流 | 第33页 |
| 4.3 实验样品制作 | 第33-35页 |
| 4.4 实验光路 | 第35-36页 |
| 4.5 实验结果与分析 | 第36-38页 |
| 4.5.1 太赫兹辐射强度与铜片表面加热时间的关系 | 第36页 |
| 4.5.2 Cu_2O/Au界面的太赫兹辐射 | 第36-37页 |
| 4.5.3 打磨铜片表面太赫兹辐射强度对方位角的依赖关系 | 第37-38页 |
| 4.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 硅表面辐射太赫兹的实验研究 | 第39-50页 |
| 5.1 硅表面的二阶非线性极化性质与测量 | 第39-41页 |
| 5.1.1 硅表面的二阶非线性极化性质 | 第39-40页 |
| 5.1.2 硅的二阶非线性测量 | 第40-41页 |
| 5.2 实验光路与实验样品准备 | 第41-42页 |
| 5.3 实验结果 | 第42-46页 |
| 5.3.1 单晶硅表面辐射的太赫兹电场强度对方位角的依赖关系 | 第42-44页 |
| 5.3.2 定向打磨硅表面辐射太赫兹电场强度对方位角的依赖关系 | 第44-46页 |
| 5.4 实验结果分析 | 第46-48页 |
| 5.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 结束语 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第59页 |
