| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 真空阴极弧离子镀的原理及发展 | 第10-11页 |
| 1.3 真空阴极弧石墨靶燃烧稳定性研究 | 第11-12页 |
| 1.4 ta-C薄膜及其应用 | 第12-16页 |
| 1.4.1 ta-C薄膜的结构 | 第12-14页 |
| 1.4.2 ta-C薄膜的制备 | 第14-15页 |
| 1.4.3 ta-C薄膜的应用 | 第15-16页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 试验设备与方法 | 第18-24页 |
| 2.1 试验设备及试验材料 | 第18-20页 |
| 2.1.1 试验设备 | 第18-19页 |
| 2.1.2 试验材料 | 第19页 |
| 2.1.3 试样制备 | 第19-20页 |
| 2.2 试验方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 石墨靶放电稳定性测试 | 第20-21页 |
| 2.2.2 ta-C薄膜制备 | 第21-23页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第23-24页 |
| 2.3.1 光谱仪 | 第23页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第23页 |
| 2.3.4 膜基结合力测试 | 第23页 |
| 2.3.5 电化学腐蚀 | 第23-24页 |
| 第3章 磁场对石墨靶材燃烧稳定性影响研究 | 第24-41页 |
| 3.1 线圈电流对石墨靶燃烧稳定性的影响研究 | 第24-30页 |
| 3.1.1 石墨靶燃烧稳定性实验研究 | 第24-25页 |
| 3.1.2 石墨靶表面的磁场位形 | 第25-30页 |
| 3.2 烧蚀时间对石墨靶燃烧稳定性的影响研究 | 第30-36页 |
| 3.2.1 石墨靶表面的烧蚀形状 | 第30-31页 |
| 3.2.2 石墨靶表面的磁场位形 | 第31-33页 |
| 3.2.3 永磁铁位置对石墨靶面磁场位形影响研究 | 第33-36页 |
| 3.3 屏蔽罩对石墨靶燃烧稳定性的影响研究 | 第36-37页 |
| 3.4 线圈尺寸对石墨靶燃烧稳定性的影响研究 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 石墨靶放电特性机理研究 | 第41-54页 |
| 4.1 线圈电流对石墨靶放电特性影响研究 | 第41-45页 |
| 4.1.1 基体电流的变化规律 | 第41-42页 |
| 4.1.2 靶材弧压的变化规律 | 第42-43页 |
| 4.1.3 等离子体光谱特性 | 第43-45页 |
| 4.2 辅助阳极电流对石墨靶放电特性影响研究 | 第45-47页 |
| 4.2.1 基体电流的变化规律 | 第45-46页 |
| 4.2.2 等离子光谱特性 | 第46-47页 |
| 4.3 Ar流量对石墨靶放电特性影响研究 | 第47-50页 |
| 4.3.1 基体电流的变化规律 | 第47-48页 |
| 4.3.2 等离子体光谱特性 | 第48-50页 |
| 4.4 石墨靶弧流对石墨靶放电特性影响研究 | 第50-52页 |
| 4.4.1 基体电流的变化规律 | 第50页 |
| 4.4.2 等离子体光谱特性 | 第50-52页 |
| 4.5 偏压对基体电流的影响研究 | 第52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 ta-C薄膜结构和性能研究 | 第54-68页 |
| 5.1 工艺参数对ta-C薄膜结构的影响研究 | 第54-62页 |
| 5.1.1 不同偏压下ta-C薄膜的结构 | 第54-58页 |
| 5.1.2 不同偏压下ta-C薄膜的沉积速率 | 第58-60页 |
| 5.1.3 不同Ar流量下ta-C薄膜的结构 | 第60-61页 |
| 5.1.4 不同Ar流量下ta-C薄膜的表面形貌 | 第61-62页 |
| 5.2 工艺参数对ta-C薄膜性能的影响研究 | 第62-67页 |
| 5.2.1 不同偏压下ta-C薄膜的摩擦性能 | 第62-63页 |
| 5.2.2 不同Ar流量下ta-C薄膜的摩擦性能 | 第63-64页 |
| 5.2.3 不同偏压下ta-C薄膜的腐蚀性能 | 第64-66页 |
| 5.2.4 不同Ar流量下ta-C薄膜的膜基结合力 | 第66-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |