| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 4H-SiC材料和器件发展现状 | 第15页 |
| 1.2 4H-SiC MESFET国内外研究进展及面临的挑战 | 第15-19页 |
| 1.2.1 4H-SiC MESFET研究现状 | 第15-18页 |
| 1.2.2 新型 4H-SiC MESFET结构 | 第18-19页 |
| 1.3 本文的创新点和主要内容 | 第19-21页 |
| 1.3.1 本文的创新点 | 第19页 |
| 1.3.2 主要工作 | 第19页 |
| 1.3.3 主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET物理模型 | 第21-31页 |
| 2.1 4H-SiC材料模型 | 第21-22页 |
| 2.1.1 禁带宽度 | 第21页 |
| 2.1.2 击穿场强 | 第21页 |
| 2.1.3 有效质量 | 第21-22页 |
| 2.1.4 不完全电离模型 | 第22页 |
| 2.2 4H-SiC MESFET物理模型 | 第22-29页 |
| 2.2.1 载流子输运模型 | 第22-23页 |
| 2.2.2 迁移率模型 | 第23-28页 |
| 2.2.3 产生复合模型 | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 具有单源场板和双源场板的双凹栅 4H-SiC MESFET | 第31-43页 |
| 3.1 双凹栅 4H-SiC MESFET | 第31-34页 |
| 3.2 具有单源场板的双凹栅 4H-SiC MESFET | 第34-40页 |
| 3.2.1 单源场板结构对击穿电压的影响 | 第34-37页 |
| 3.2.2 源场板长度选择 | 第37-38页 |
| 3.2.3 源场板与沟道表面间距 | 第38-39页 |
| 3.2.4 器件直流特性 | 第39-40页 |
| 3.3 具有双源场板结构的双凹栅 4H-SiC MESFET | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 具有阶梯型源场板的双凹栅 4H-SiC MESFET | 第43-51页 |
| 4.1 阶梯型源场板结构 | 第43-44页 |
| 4.2 阶梯型源场板的的优化 | 第44-49页 |
| 4.2.1 阶梯型源场板长度的优化 | 第44-47页 |
| 4.2.2 阶梯高度 | 第47-48页 |
| 4.2.3 直流特性 | 第48-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 具有不同源场板的双凹栅 4H-SiC MESFET特性比较 | 第51-61页 |
| 5.1 具有不同源场板结构的双凹栅 4H-SiC MESFET的直流特性 | 第51-54页 |
| 5.1.1 输出饱和漏电流和膝点电压 | 第51-52页 |
| 5.1.2 击穿电压 | 第52-54页 |
| 5.1.3 最大输出功率密度 | 第54页 |
| 5.2 具有不同源场板结构的双凹栅 4H-SiC MESFET的频率特性 | 第54-60页 |
| 5.2.1 跨导 | 第54-55页 |
| 5.2.2 栅源电容 | 第55-57页 |
| 5.2.3 栅漏电容 | 第57-58页 |
| 5.2.4 频率特性 | 第58-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 结论 | 第61-62页 |
| 6.2 下一步的工作 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
