| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 GaN应用于微波功率器件的优势 | 第16-18页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件低温特性研究现状及研究意义 | 第18-20页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理及工艺 | 第22-34页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第22-26页 |
| 2.1.1 二维电子气形成原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第23-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件制备工艺 | 第26-29页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT的直流特性 | 第29-32页 |
| 2.3.1 HEMT器件直流特性 | 第29-30页 |
| 2.3.2 AlGaN/GaN HEMT器件的直流测试 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 AlGaN/GaN异质结肖特基栅低温特性 | 第34-48页 |
| 3.1 肖特基接触的基本理论 | 第34-41页 |
| 3.1.1 肖特基基础 | 第34-38页 |
| 3.1.2 肖特基势垒高度及理想因子 | 第38-41页 |
| 3.2 跨导随温度变化特性 | 第41-42页 |
| 3.3 低温条件下的栅肖特基特性 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-48页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件低温输出特性 | 第48-60页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT器件的低温特性 | 第48-54页 |
| 4.1.1 输出电流低温特性 | 第48-51页 |
| 4.1.2 电流崩塌现象 | 第51-54页 |
| 4.2 低温下阈值电压变化 | 第54-56页 |
| 4.3 载流子迁移率的温度特性 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |
