| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-18页 |
| 缩略语对照表 | 第18-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-28页 |
| 1.1 GaN HEMT材料与器件发展 | 第23-24页 |
| 1.2 GaN HEMT高效率微波功率放大器研究背景 | 第24-25页 |
| 1.3 本文的研究意义和主要内容 | 第25-28页 |
| 第二章 GaN HEMT器件及微波功率放大器基础 | 第28-46页 |
| 2.1 GaN HEMT器件结构及制备工艺 | 第28-32页 |
| 2.1.1 GaN HEMT器件结构及工作原理 | 第28-29页 |
| 2.1.2 GaN HEMT器件主要工艺流程 | 第29-32页 |
| 2.2 GaN HEMT器件特性表征 | 第32-34页 |
| 2.2.1 直流特性测量 | 第32-33页 |
| 2.2.2 微波特性表征 | 第33-34页 |
| 2.2.3 Load-pull测试系统 | 第34页 |
| 2.3 GaN HEMT器件模型 | 第34-36页 |
| 2.3.1 GaN HEMT小信号模型 | 第34-35页 |
| 2.3.2 本文所使用的GaN HEMT大信号模型 | 第35-36页 |
| 2.4 微波功率放大器基础 | 第36-43页 |
| 2.4.1 微波功率放大器基本参数 | 第37-40页 |
| 2.4.2 微波功率放大器类型 | 第40-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-46页 |
| 第三章 阻抗匹配理论 | 第46-64页 |
| 3.1 S参数 | 第46-47页 |
| 3.1.1 S参数定义 | 第46-47页 |
| 3.1.2 S参数的物理意义 | 第47页 |
| 3.2 阻抗匹配原理 | 第47-51页 |
| 3.2.1 阻抗匹配基本思想 | 第47-48页 |
| 3.2.2 最大能量传输匹配 | 第48-51页 |
| 3.3 Smith圆图 | 第51-55页 |
| 3.3.1 Smith圆图基本结构 | 第52-53页 |
| 3.3.2 阻抗圆与导纳圆 | 第53-55页 |
| 3.3.3 等驻波比(VSWR)圆 | 第55页 |
| 3.4 阻抗匹配方法 | 第55-62页 |
| 3.4.1 分立元件的阻抗匹配 | 第55-58页 |
| 3.4.2 微带匹配 | 第58-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 C波段内匹配GaN高效率功率放大器设计与实现 | 第64-82页 |
| 4.1 内匹配技术 | 第64-67页 |
| 4.1.1 电感的实现 | 第65-66页 |
| 4.1.2 电容的实现 | 第66页 |
| 4.1.3 微带线的实现 | 第66-67页 |
| 4.1.4 封装管壳 | 第67页 |
| 4.2 三端口网络功率合成技术 | 第67-69页 |
| 4.2.1 功率分配技术基础 | 第67-69页 |
| 4.2.2 Wilkinson功分器 | 第69页 |
| 4.3 二次谐波抑制理论 | 第69-72页 |
| 4.3.1 谐波分量对于输出信号的影响 | 第70-71页 |
| 4.3.2 二次谐波抑制 | 第71-72页 |
| 4.4 C波段内匹配GaN高效功放设计与制造 | 第72-80页 |
| 4.4.1 设计方案确立 | 第72-73页 |
| 4.4.2 功率分配与合成器设计 | 第73-76页 |
| 4.4.3 包含谐波抑制模块的预匹配网络设计 | 第76-78页 |
| 4.4.4 原理图仿真与设计 | 第78-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 测试及性能分析 | 第82-90页 |
| 5.1 微波测试夹具制造 | 第82-85页 |
| 5.1.1 测试夹具腔体设计 | 第82页 |
| 5.1.2 PCB偏置电路设计 | 第82-84页 |
| 5.1.3 夹具组装 | 第84-85页 |
| 5.2 微波功率测试及调试结果 | 第85-89页 |
| 5.3 本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 6.1 本文主要工作内容总结 | 第90-91页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 作者简介 | 第98页 |
| 1. 基本情况 | 第98页 |
| 2. 教育背景 | 第98页 |
| 3. 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第98页 |
