| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 阻变式存储器简介 | 第9-10页 |
| 1.2.1 阻变式存储器的制备工艺 | 第10页 |
| 1.3 阻变式存储器的工作机制 | 第10-14页 |
| 1.3.1 空间电荷限制电流效应 | 第10-11页 |
| 1.3.2 导电细丝理论 | 第11-12页 |
| 1.3.3 场助热电离效应 | 第12-14页 |
| 1.4 Bi_2Te_3材料的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4.1 Bi_2Te_3的结构和性质 | 第14-15页 |
| 1.4.2 Bi_2Te_3的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的选题及主要内容 | 第16-17页 |
| 第2章 Bi_2Te_3纳米片材料的制备 | 第17-24页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 制备方法 | 第17-18页 |
| 2.3 结果与分析 | 第18-23页 |
| 2.3.1 扫描电镜SEM测试 | 第18-21页 |
| 2.3.2 Bi_2Te_3材料的形貌影响因素 | 第21页 |
| 2.3.3 XRD、Raman分析 | 第21-23页 |
| 2.4 小结 | 第23-24页 |
| 第3章 浸渍提拉法、溶液滴落法以及旋涂法制备Bi_2Te_3二维材料的阻变式存储器 | 第24-32页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 浸渍提拉法制备阻变式存储器 | 第24-26页 |
| 3.3 溶液滴落法制备阻变式存储器 | 第26-27页 |
| 3.4 旋涂法制备阻变式存储器 | 第27-31页 |
| 3.5 小结 | 第31-32页 |
| 第4章 抽滤转移方法制备Bi_2Te_3二维材料的阻变式存储器 | 第32-37页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 抽滤转移法制备阻变式存储器 | 第32-33页 |
| 4.3 基于抽滤转移法制备阻变式存储器的阻变特性测试 | 第33-36页 |
| 4.4 小结 | 第36-37页 |
| 第5章 Bi_2Te_3/GO复合纳米材料的制备及其阻变特性研究 | 第37-47页 |
| 5.1 引言 | 第37-38页 |
| 5.2 实验部分 | 第38-39页 |
| 5.3 结果与分析 | 第39-43页 |
| 5.3.1 结构与形貌表征 | 第39页 |
| 5.3.2 Bi_2Te_3/GO纳米材料的阻变特性测试 | 第39-41页 |
| 5.3.3 对Bi_2Te_3/GO薄膜施加应力的阻变特性测试 | 第41-43页 |
| 5.4 工作机制分析 | 第43-46页 |
| 5.5 小结 | 第46-47页 |
| 第6章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 总结 | 第47-48页 |
| 6.2 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 个人简历 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |
