| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.2 氧化镓半导体材料的简介 | 第13-16页 |
| 1.3 基于氧化镓日盲紫外探测器的国内外研究历史与现状 | 第16-19页 |
| 1.3.1 本征氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展 | 第16页 |
| 1.3.2 掺杂氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验装置与表征方法介绍 | 第20-30页 |
| 2.1 分子束外延设备简介 | 第20-21页 |
| 2.2 氧化镓薄膜表征方法及原理 | 第21-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第21-22页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱（XPS） | 第22-23页 |
| 2.2.3 紫外分光光度计 | 第23页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.2.5 能谱仪（EDS）和扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2.2.6 二次离子质谱仪（SIMS） | 第25-26页 |
| 2.3 氧化镓MSM日盲紫外探测器结构及原理 | 第26-27页 |
| 2.4 氧化镓MSM日盲紫外探测器性能的表征方法与装置 | 第27-29页 |
| 2.4.1 器件I-V特性曲线 | 第27-28页 |
| 2.4.2 器件时间响应特性 | 第28页 |
| 2.4.3 器件紫外光谱响应 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 金半接触对Ga_2O_3基MSM日盲紫外探测器性能的影响机制研究 | 第30-41页 |
| 3.1 氧化镓薄膜的生长 | 第30-33页 |
| 3.2 氧化镓MSM日盲紫外探测器的制备 | 第33页 |
| 3.3 电极退火工艺对氧化镓器件金半接触的调控及性能的影响 | 第33-40页 |
| 3.3.1 器件的I-V特性 | 第34-36页 |
| 3.3.2 时间响应特性 | 第36-37页 |
| 3.3.3 器件的响应光谱特性 | 第37-38页 |
| 3.3.4 金-半接触界面特性分析 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 (In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜制备及其MSM日盲紫外探测器研制 | 第41-63页 |
| 4.1 IN源温度对(In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜材料及器件性能的影响 | 第41-50页 |
| 4.1.1 不同In源温度下(In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜的生长 | 第41-42页 |
| 4.1.2 In源温度对(In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜材料特性的影响 | 第42-47页 |
| 4.1.3 In源温度对(In_xGa_(1-x))_2O_3基MSM日盲紫外探测器的影响 | 第47-50页 |
| 4.1.3.1 器件的I-V特性 | 第47-48页 |
| 4.1.3.2 器件的时间响应特性 | 第48-50页 |
| 4.2 基片温度对(In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜材料及器件性能的影响 | 第50-55页 |
| 4.2.1 不同基片温度下(In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜的生长 | 第50-51页 |
| 4.2.2 基片温度对(In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜材料性质的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.3 基片温度对(In_xGa_(1-x))_2O_3基MSM日盲紫外探测器性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 (In_xGa_(1-x))_2O_3薄膜制备工艺的优化 | 第55-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
