| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| ·研究背景 | 第17-19页 |
| ·论文内容安排及主要工作 | 第19-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 近、中红外上转换成像器件 | 第25-42页 |
| ·光子频率上转换 | 第25-26页 |
| ·Si CCD | 第26-27页 |
| ·近红外上转换成像 | 第27-31页 |
| ·中红外上转换成像 | 第31-36页 |
| ·QWIP-LED 上转换成像理论研究 | 第36-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第三章 GaAs 远红外同质结探测器的研究 | 第42-67页 |
| ·远红外探测器研究进展 | 第42-43页 |
| ·GaAs HIWIP | 第43-54页 |
| ·GaAs HIWIP 结构 | 第43-44页 |
| ·GaAs HIWIP 探测机制 | 第44-45页 |
| ·GaAs HIWIP 功函数 | 第45-48页 |
| ·HIWIP 探测过程理论模型 | 第48-54页 |
| ·多周期GaAs HIWIP 性能 | 第54-62页 |
| ·多周期GaAs HIWIP 中碰撞离子化 | 第54-57页 |
| ·多周期GaAs HIWIP 光谱响应 | 第57-59页 |
| ·多周期GaAs HIWIP 暗电流 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 第四章 HIWIP-LED 远红外/THz 上转换成像器件 | 第67-88页 |
| ·GaAs HIWIP-LED 结构 | 第67-69页 |
| ·GaAs HIWIP 连续性方程 | 第69-71页 |
| ·LED 中光子循环过程 | 第71-73页 |
| ·GaAs/AlGaAs LED 空穴扩散方程 | 第73-75页 |
| ·GaAs HIWIP-LED 成像特征 | 第75-80页 |
| ·调制传递函数 | 第75-76页 |
| ·GaAs HIWIP 参数对调制传递函数的影响 | 第76-79页 |
| ·GaAs/AlGaAs LED 参数对调制传递函数的影响 | 第79-80页 |
| ·GaAs HIWIP-LED 成像效率 | 第80-85页 |
| ·上转换量子效率 | 第80-81页 |
| ·GaAs HIWIP 参数对上转换量子效率的影响 | 第81-84页 |
| ·GaAs/AlGaAs LED 参数对上转换量子效率的影响 | 第84-85页 |
| ·讨论 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第五章 谐振腔增强HIWIP-LED 远红外/THz 上转换成像器件 | 第88-110页 |
| ·谐振腔增强GaAs HIWIP | 第88-94页 |
| ·谐振腔中的远红外光吸收 | 第90-92页 |
| ·谐振腔增强GaAs HIWIP 量子效率 | 第92-94页 |
| ·DBR 谐振腔 | 第94-96页 |
| ·谐振腔增强LED 光子出射效率 | 第96-101页 |
| ·谐振腔增强LED 量子效率 | 第101-103页 |
| ·HIWIP-BM-RCE-LED 上转换成像性能 | 第103-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第六章 GaN/AlGaN 中红外/远红外双带上转换成像器件 | 第110-132页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 双带探测器 | 第111-112页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 中红外波段探测 | 第112-122页 |
| ·GaN 和AlGaN 复介电函数 | 第112-113页 |
| ·传递矩阵方法 | 第113-116页 |
| ·单周期GaN/AlGaN HEIWIP 中红外波段优化 | 第116-119页 |
| ·多周期GaN/AlGaN HEIWIP 中红外波段优化 | 第119-122页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 远红外波段探测 | 第122-126页 |
| ·远红外波段吸收 | 第122-124页 |
| ·远红外波段响应 | 第124-126页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP-LED 双带上转换成像性能 | 第126-130页 |
| 参考文献 | 第130-132页 |
| 第七章 总结与展望 | 第132-135页 |
| ·本文主要结论和创新点 | 第132-134页 |
| ·展望 | 第134-135页 |
| 附录 | 第135-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 完成论文目录 | 第139-140页 |
