摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
·引言 | 第10-11页 |
·Fe_4N 材料简介 | 第11-14页 |
·Fe_4N 的晶体结构 | 第11-13页 |
·Fe_4N 的研究现状 | 第13-14页 |
·三元铁氮化合物的研究现状 | 第14-17页 |
·不同掺杂元素的研究现状 | 第14-16页 |
·Ga 和 Ni 元素掺杂 Fe_4N 的研究现状 | 第16-17页 |
·研究意义与主要内容 | 第17-20页 |
·研究目的与意义 | 第17-18页 |
·研究内容 | 第18-20页 |
第2章 掺杂 Fe_4N 材料的电磁理论 | 第20-30页 |
·掺杂后的晶体结构和电子结构 | 第20-22页 |
·Ga、Ni 掺杂后的晶体结构 | 第20-21页 |
·Ga、Ni 掺杂后的电子结构 | 第21-22页 |
·复磁导率与品质因子 | 第22-24页 |
·复数磁导率 | 第22-23页 |
·材料的品质因子 | 第23-24页 |
·磁导率的影响因素 | 第24-26页 |
·起始磁导率 | 第24-25页 |
·低频下磁导率的影响因素 | 第25页 |
·高频下磁导率的影响因素 | 第25-26页 |
·趋肤效应与涡流损耗 | 第26-28页 |
·本章小结 | 第28-30页 |
第3章 Fe_(4-x)Ga_xN 粉体的制备及其电磁性能的研究 | 第30-48页 |
·Ga 掺杂 Fe_4N 粉体的制备工艺 | 第30-36页 |
·实验原料及设备 | 第30页 |
·制备工艺过程 | 第30-33页 |
·还原温度对产物的影响 | 第33-34页 |
·掺杂量的确定 | 第34-36页 |
·粉体表征 | 第36-37页 |
·Fe_(4-x)Ga_xN 的晶体结构 | 第36-37页 |
·Fe_(4-x)Ga_xN 粉体的微观形貌 | 第37页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 热稳定性的影响 | 第37-39页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 抗氧化性的影响 | 第37-38页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 脱氮温度的影响 | 第38-39页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 磁性能的影响 | 第39-42页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 饱和磁化强度的影响 | 第39-41页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 矫顽力的影响 | 第41-42页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 复磁导率的影响 | 第42-46页 |
·粘接磁环的制备 | 第42-43页 |
·测量方法与原理 | 第43-44页 |
·Ga 掺杂对 Fe_4N 复磁导率的影响 | 第44-46页 |
·本章小结 | 第46-48页 |
第4章 Fe_(4-x)Ni_xN 粉体的制备及其电磁性能的研究 | 第48-56页 |
·Fe_(4-x)Ni_xN 粉体的制备及物相分析 | 第48-50页 |
·Fe_(4-x)Ni_xN 粉体的制备 | 第48-49页 |
·Ni 掺杂 Fe_4N 粉体的物相分析 | 第49-50页 |
·Ni 掺杂对 Fe_4N 热稳定性的影响 | 第50-51页 |
·Ni 掺杂对 Fe_4N 抗氧化性的影响 | 第50-51页 |
·Ni 掺杂对 Fe_4N 脱氮温度的影响 | 第51页 |
·Ni 掺杂对 Fe_4N 磁性能的影响 | 第51-53页 |
·Ni 掺杂对 Fe_4N 电磁性能的影响 | 第53-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
第5章 Ga、Ni 掺杂对 Fe_4N 电阻率的影响 | 第56-68页 |
·Fe_(4-x)M_xN(M=Ga,Ni)三元氮化物薄膜的制备 | 第56-63页 |
·Fe-Ga 二元合金薄膜的制备 | 第56-59页 |
·Fe-Ni 二元合金薄膜的制备 | 第59-60页 |
·合金薄膜的氮化 | 第60页 |
·氮化后薄膜的 XRD 分析 | 第60-62页 |
·FeNi 薄膜氮化前后的 SEM 分析 | 第62-63页 |
·Fe_(4-x)M_xN(M=Ga,Ni)薄膜电阻率的测量 | 第63-64页 |
·薄膜厚度测试表征 | 第63-64页 |
·霍尔测试系统测量电阻率 | 第64页 |
·霍尔测试结果分析 | 第64-66页 |
·本章小结 | 第66-68页 |
结论 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74-76页 |
致谢 | 第76页 |