| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 引言 | 第11-20页 |
| ·GaN的基本性质 | 第11-13页 |
| ·Si基GaN材料与器件 | 第13-16页 |
| ·Si基GaN材料 | 第14-15页 |
| ·Si基GaN器件 | 第15-16页 |
| ·Si基GaN器件面临的问题 | 第16页 |
| ·GaNSi-NPA的电致发光研究 | 第16-18页 |
| ·Si-NPA的制备和性质 | 第16-18页 |
| ·GaN/Si-NPA的电致发光 | 第18页 |
| ·选题依据和研究内容 | 第18-20页 |
| 2 GaN/S-NPA的形貌和结构调控 | 第20-35页 |
| ·GaN/Si-NPA的制备 | 第20-33页 |
| ·升温过程对GaN表面形貌和结构的调控 | 第25-28页 |
| ·氨气压强对GaN表面形貌和结构的调控 | 第28-31页 |
| ·退火对GaN的表面形貌和结构的调控 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 3 制备条件对GaN/Si-NPA电致发光特性的调制 | 第35-60页 |
| ·积分光反射特性 | 第35-37页 |
| ·升温过程对GaN/Si-NPA积分光反射谱的调制 | 第35-36页 |
| ·氨气压强对GaN/Si-NPA积分光反射谱的调制 | 第36-37页 |
| ·光致发光特性 | 第37-41页 |
| ·升温过程对GaN/Si-NPA光致发光性质的调制 | 第37-38页 |
| ·氨气压强对GaN/Si-NPA光致发光性质的调制 | 第38-40页 |
| ·退火对GaN/Si-NPA光致发光性质的调制 | 第40-41页 |
| ·I-V特性 | 第41-50页 |
| ·电极的制备 | 第42-43页 |
| ·GaN/Si-NPA的I-V特性 | 第43-50页 |
| ·电致发光特性 | 第50-57页 |
| ·升温过程对GaN/Si-NPA电致发光特性的调制 | 第51-52页 |
| ·氨气压强对GaN/Si-NPA电致发光性质的调制 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-60页 |
| 4 结论和展望 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
