| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·巨磁阻抗传感器材料研究背景 | 第9-14页 |
| ·巨磁阻抗材料 | 第11-13页 |
| ·GMI应用进展 | 第13-14页 |
| ·气敏传感器材料研究背景 | 第14-19页 |
| ·概述 | 第14-15页 |
| ·电阻型半导体气敏材料的导电机理 | 第15页 |
| ·半导体气敏传感器类型及结构 | 第15-16页 |
| ·气敏传感器应用及半导体气敏材料总结 | 第16-19页 |
| ·论文的研究方向及思想 | 第19-21页 |
| 第二章 样品的制备及表征 | 第21-30页 |
| ·实验方法 | 第21-25页 |
| ·电化学沉积 | 第21-23页 |
| ·电化学沉积的影响因素 | 第23-25页 |
| ·仪器和设备 | 第25页 |
| ·样品的表征 | 第25-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-29页 |
| ·阻抗分析仪 | 第29-30页 |
| 第三章 复合结构丝巨磁阻抗变化率的调控 | 第30-43页 |
| ·应力调控复合结构丝巨磁阻抗效应 | 第30-39页 |
| ·复合结构丝样品的制备 | 第30-31页 |
| ·复合结构丝样品的表征 | 第31-32页 |
| ·沉积时间对复合结构丝GMI效应的影响 | 第32-33页 |
| ·不同应力对GMI变化率的调节 | 第33-37页 |
| ·应力对不同沉积时间复合结构丝样品GMI效应的调控 | 第37-38页 |
| ·应力引起巨磁阻抗变化的机理 | 第38-39页 |
| ·小电流调控复合结构丝巨磁阻抗效应 | 第39-42页 |
| ·样品的制备 | 第39页 |
| ·轴向施加直流电对GMI变化率的影响 | 第39-41页 |
| ·GMI变化率随频率变化关系 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 纳米丝状ZnO纳米花材料的制备和性能 | 第43-54页 |
| ·样品的制备 | 第43-45页 |
| ·ZnO样品的表征 | 第45-47页 |
| ·纳米花的微观形貌 | 第47-48页 |
| ·纳米化大小的调控 | 第48-50页 |
| ·ZnO纳米花生长示意图 | 第50-51页 |
| ·快速氧化法制备Fe的氧化物 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 硕士期间研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |