半导体器件的二维数值模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·半导体器件模拟的发展概况及历史 | 第8-9页 |
| ·半导体器件模拟研究的主要内容 | 第9-10页 |
| ·主要工作与创新 | 第10页 |
| ·本论文的结构安排 | 第10-12页 |
| 第二章 半导体数值模拟理论基础 | 第12-31页 |
| ·半导体材料 | 第12页 |
| ·基本方程组 | 第12-19页 |
| ·Poisson方程 | 第13-14页 |
| ·电流连续性方程 | 第14-15页 |
| ·载流子的输运方程 | 第15-17页 |
| ·热传导方程 | 第17-18页 |
| ·常用的基本方程 | 第18-19页 |
| ·载流子迁移率和扩散率 | 第19-23页 |
| ·晶格散射 | 第20页 |
| ·电离杂质散射 | 第20-21页 |
| ·载流子-载流子散射 | 第21-22页 |
| ·中性杂质散射 | 第22页 |
| ·速度饱和效应 | 第22-23页 |
| ·表面散射 | 第23页 |
| ·载流子的产生和复合 | 第23-26页 |
| ·SRH复合 | 第23-24页 |
| ·辐射复合 | 第24-25页 |
| ·俄歇复合 | 第25页 |
| ·表面复合 | 第25-26页 |
| ·碰撞电离 | 第26页 |
| ·常用的网格划分 | 第26-28页 |
| ·矩形网格 | 第26-27页 |
| ·三角形网格 | 第27-28页 |
| ·数值计算方法 | 第28-30页 |
| ·有限体积法 | 第29页 |
| ·控制体积 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 数值模拟分析 | 第31-44页 |
| ·二极管中网格的划分及有限体的建立 | 第31-32页 |
| ·方程组的离散 | 第32-40页 |
| ·漂移扩散方程 | 第32页 |
| ·归一化处理 | 第32-34页 |
| ·Poisson方程的离散 | 第34-38页 |
| ·电流连续性方程的离散 | 第38-40页 |
| ·边界条件 | 第40-42页 |
| ·非耦合法 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 模拟结果及分析 | 第44-60页 |
| ·二极管建模 | 第44-45页 |
| ·半导体器件数值模拟流程 | 第45-46页 |
| ·Silvaco和GSS | 第46-48页 |
| ·二极管中网格的划分及有限体的建立 | 第48-51页 |
| ·二极管的网格划分 | 第48-50页 |
| ·网格信息的优化 | 第50-51页 |
| ·模拟结果分析 | 第51-59页 |
| ·掺杂浓度的特征分布 | 第51-53页 |
| ·电势的特征分布 | 第53-55页 |
| ·电子浓度的特征分布 | 第55-57页 |
| ·空穴浓度的特征分布 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结束语 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第64页 |
