| 摘要 | 第1-15页 |
| ABSTRACT | 第15-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-47页 |
| ·LED概述 | 第20-27页 |
| ·SiC蓝光LED | 第21-24页 |
| ·氮化物蓝光LED | 第24-26页 |
| ·白光LED | 第26-27页 |
| ·GaN基蓝光LED芯片技术研究现状 | 第27-40页 |
| ·影响LED芯片电光转换效率的因素 | 第27-28页 |
| ·提高GaN LED芯片电光转换效率的方法 | 第28-29页 |
| ·表而粗化技术 | 第29-32页 |
| ·芯片形状设计 | 第32-35页 |
| ·透明电极技术 | 第35-37页 |
| ·激光剥离技术 | 第37-40页 |
| ·本论文的研究工作 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 第二章 SiC透明衬底GaN LED芯片形状设计优化与芯片制备 | 第47-64页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·透明衬底的GaN LED光提取效率模拟与分析 | 第48-56页 |
| ·长方体形状与倒金子塔形状GaN LED的光提取效率模拟与分析 | 第48-50页 |
| ·衬底折射率的影响 | 第50-53页 |
| ·衬底吸收系数的影响 | 第53-55页 |
| ·芯片尺寸的影响 | 第55-56页 |
| ·SiC衬底GaN LED的制备 | 第56-58页 |
| ·SiC衬底GaN LED外延结构 | 第56页 |
| ·SiC衬底GaN LED芯片工艺 | 第56-58页 |
| ·SiC衬底GaN LED实验结果与仿真结果对比分析 | 第58-60页 |
| ·大尺寸SiC LED提高光提取效率的方法 | 第60-61页 |
| ·本章总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第三章 蓝宝石透明衬底激光剥离制备垂直结构芯片技术研究 | 第64-91页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·激光剥离技术介绍 | 第64-68页 |
| ·激光剥离原理 | 第64-66页 |
| ·激光剥离设备与参数 | 第66-68页 |
| ·激光剥离制备垂直型芯片的关键技术研究 | 第68-80页 |
| ·p-GaN欧姆接触反射镜研究 | 第69-73页 |
| ·N极性面n-GaN欧姆接触研究 | 第73-78页 |
| ·表面粗化研究 | 第78-80页 |
| ·垂直结构芯片制备工艺路线设计与优化 | 第80-84页 |
| ·垂直结构芯片可靠性研究 | 第84-88页 |
| ·本章总结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第四章 SiC衬底缺陷和GaN外延薄膜黄光辐射带的基础研究 | 第91-110页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·SiC衬底材料中的小角晶界缺陷研究 | 第92-101页 |
| ·样品制备 | 第92-94页 |
| ·偏光显微镜测试 | 第94-96页 |
| ·理论模拟 | 第96-101页 |
| ·结果与讨论 | 第101页 |
| ·GaN薄膜中的黄光带研究 | 第101-107页 |
| ·样品制备 | 第102页 |
| ·实验结果与讨论 | 第102-107页 |
| ·结论 | 第107页 |
| ·本章总结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第五章 主要结论、创新点及有待进一步开展的工作 | 第110-113页 |
| ·主要结论 | 第110-112页 |
| ·主要创新点 | 第112页 |
| ·有待于进一步开展的工作 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第114-115页 |
| 附录 | 第115-126页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第126页 |
