| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·氧化亚铜简介 | 第14-15页 |
| ·Cu_2O 薄膜的基本性质 | 第14页 |
| ·Cu_2O 薄膜的光学性质 | 第14-15页 |
| ·Cu_2O 薄膜的电学性质 | 第15页 |
| ·Cu_2O 薄膜的其他性质 | 第15页 |
| ·氧化亚铜的研究背景 | 第15-17页 |
| ·氧化亚铜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| ·热氧化法 | 第18页 |
| ·电化学沉积法 | 第18-19页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第19页 |
| ·磁控溅射法 | 第19-20页 |
| ·分子束外延法 | 第20-21页 |
| ·Cu_2O 薄膜的研究进展 | 第21-24页 |
| ·Cu_2O 薄膜的制备研究进展 | 第21-22页 |
| ·Cu_2O 薄膜的掺杂研究进展 | 第22页 |
| ·Cu_2O 薄膜在太阳能电池中的研究进展 | 第22-24页 |
| ·本文研究思路及实验内容 | 第24-25页 |
| 第二章 材料的制备与表征 | 第25-35页 |
| ·实验原料 | 第25页 |
| ·材料的制备 | 第25-28页 |
| ·清洗衬底 | 第25-26页 |
| ·射频磁控溅射方法和设备 | 第26-28页 |
| ·材料的表征 | 第28-35页 |
| ·材料表征的主要设备 | 第28页 |
| ·X 射线衍射仪（X-ray diffractometer） | 第28-30页 |
| ·霍尔效应测试分析（Hall Effect） | 第30-32页 |
| ·原子力显微镜（Atomic Force Microscope） | 第32页 |
| ·紫外可见分光光度计（UV-Vis spectrophotometer） | 第32-33页 |
| ·X 射线光电子能谱（X-ray photoelectron spectroscopy） | 第33-34页 |
| ·其他测试方法 | 第34-35页 |
| 第三章 Cu_2O 的第一性原理计算 | 第35-47页 |
| ·第一性原理计算介绍 | 第35-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第36-37页 |
| ·CASTEP 相关概念及计算参数设置 | 第37-39页 |
| ·超晶胞 | 第38页 |
| ·布里渊区 | 第38页 |
| ·赝势 | 第38页 |
| ·平面波截止能量 | 第38-39页 |
| ·电子态密度 | 第39页 |
| ·Cu_2O 第一性原理研究 | 第39-46页 |
| ·体系优化 | 第39-41页 |
| ·未掺杂的 Cu_2O 电子结构 | 第41-42页 |
| ·N 掺杂的 Cu_2O 电子结构 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 磁控溅射法制备非掺杂 Cu_2O 薄膜及其性能 | 第47-55页 |
| ·前言 | 第47-48页 |
| ·溅射 Cu 靶制备 Cu_2O 靶材薄膜 | 第48-53页 |
| ·XRD 分析 | 第48页 |
| ·光学分析 | 第48-50页 |
| ·AFM 分析 | 第50-51页 |
| ·XPS 分析 | 第51-53页 |
| ·电学分析 | 第53页 |
| ·溅射 Cu_2O 靶制备 Cu_2O 靶材薄膜 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 磁控溅射法制备 p 型 N 掺杂 Cu_2O 薄膜及其性能 | 第55-60页 |
| ·前言 | 第55页 |
| ·XRD 分析 | 第55页 |
| ·电学分析 | 第55-56页 |
| ·光学分析 | 第56-57页 |
| ·XPS 分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 P 型 Cu_2O 在薄膜太阳能电池上的应用探索 | 第60-67页 |
| ·前言 | 第60页 |
| ·Si 衬底上生长 Cu_2O 薄膜 | 第60-62页 |
| ·FTO 衬底上生长 Cu_2O 薄膜 | 第62页 |
| ·AZO 衬底上生长 Cu_2O 薄膜 | 第62-66页 |
| ·XRD 分析 | 第63-64页 |
| ·异质结测试 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论与展望 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第77页 |
