| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| 第一节 半导体存储器的工作原理 | 第6-7页 |
| 第二节 非挥发性存储器(NVM)分类 | 第7-10页 |
| 第三节 EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)的应用 | 第10-12页 |
| 第二章 EERPOM的基本结构及工作原理 | 第12-20页 |
| 第一节 EEPROM存储单元的基本结构 | 第12-13页 |
| 第二节 EEPROM的工作原理 | 第13-17页 |
| 第三节 典型EEPROM产品的组成单元 | 第17-20页 |
| 第三章 0.18um EEPROM的加工制造工艺 | 第20-31页 |
| 第一节 有源区(AA)的定义 | 第20-21页 |
| 第二节 隧氧(TUNNEL OXIDE)的生长 | 第21-24页 |
| 第三节 浮栅(FG)的形成 | 第24-25页 |
| 第四节 选通管(SG)与控制管(CG)的刻蚀 | 第25-29页 |
| 第五节 基本EEPROM存储单元的平面布局 | 第29-31页 |
| 第四章 0.18um EEPROM存在的问题及解决途径 | 第31-44页 |
| 第一节 EEPROM的良率测试 | 第31-33页 |
| 第二节 棋盘格检查失效问题 | 第33-37页 |
| 第三节 EEPROM可靠性问题 | 第37-39页 |
| 第四节 隧道氧化层和极间氧化层的品质改善 | 第39-43页 |
| 第五节 工艺改善后0.18um EEPROM的良率 | 第43-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
