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多晶相二氧化钛的低温制备及其高催化活性研究

摘要第1-4页
Abstract第4-10页
第一章 前言第10-24页
   ·引言第10-11页
   ·半导体光催化技术第11页
     ·半导体结构第11页
     ·半导体的光催化性质第11页
   ·二氧化钛的光催化原理第11-15页
     ·二氧化钛的晶相第11-13页
     ·二氧化钛的能带结构第13页
     ·二氧化钛的光催化原理第13-14页
     ·二氧化钛的光催化反应的动力学第14-15页
   ·二氧化钛的制备方法第15-17页
     ·粉体二氧化钛的制备第15-16页
       ·物理法第15页
       ·化学法第15-16页
     ·二氧化钛膜的制备第16-17页
   ·二氧化钛的表征第17-18页
     ·X-射线衍射(XRD)第17页
     ·热重和差热分析(TG-DTA)第17页
     ·透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)第17页
     ·紫外-可见光漫反射吸收光谱(UV-vis)第17-18页
   ·光催化性能的影响因素第18-20页
     ·粒径第18页
     ·晶体结构第18-19页
     ·催化剂的用量第19页
     ·表面羟基和缺陷第19-20页
     ·pH值第20页
     ·有机物种类和浓度第20页
   ·低温制备二氧化钛的研究现状第20-23页
   ·研究现状及本文研究思路第23-24页
第二章 多种晶相二氧化钛的低温制备及其催化性能研究第24-41页
   ·引言第24页
   ·实验部分第24-29页
     ·实验仪器与试剂第24-26页
     ·光催化反应及装置第26-27页
       ·光催化实验第26-27页
       ·羟基自由基的检测(荧光分析法)第27页
     ·二氧化钛的制备第27-29页
       ·以钛酸丁酯为钛源第27-28页
       ·以“钛酸丁酯/三氯化钛”为钛源第28页
       ·以“三氯化钛”、“硫酸钛”为钛源第28页
       ·以“异丙醇钛”为钛源第28-29页
   ·实验结果与讨论第29-39页
     ·二氧化钛的制备条件及晶相分布第29页
     ·多种晶相形成的因素及其机理第29-30页
     ·二氧化钛的表征第30-36页
       ·X射线衍射光谱(XRD)第30-31页
       ·扫描电子显微镜(SEM)第31-32页
       ·透射电子显微镜(TEM)第32页
       ·紫外漫反射(UV-vis)第32-33页
       ·热分析(TG-DTA)第33-34页
       ·红外吸收光谱(FT-IR)第34-35页
       ·荧光发射光谱(FL)第35-36页
     ·二氧化钛光催化性能第36-38页
       ·甲基橙水溶液的降解第36-37页
       ·亚甲基蓝、罗丹明B水溶液的降解第37-38页
     ·不同种类钛源制备的二氧化钛第38-39页
   ·本章小结第39-41页
第三章 利用添加剂低温焙烧制备二氧化钛及其催化性能研究第41-56页
   ·引言第41页
   ·实验部分第41-44页
     ·实验仪器与试剂第41-42页
     ·光催化反应第42页
     ·催化剂的制备第42-44页
       ·以尿素作为添加剂第42-43页
       ·以碳酸氢氨作为添加剂第43-44页
   ·结果与讨论第44-55页
     ·以尿素作为添加剂制备的二氧化钛第44-50页
       ·二氧化钛的表征第44-48页
         ·X射线衍射光谱(XRD)第44-45页
         ·扫描电子显微镜(SEM)第45-46页
         ·热分析(TG-DTA)第46页
         ·红外吸收光谱(FT-IR)第46-48页
       ·光催化性能第48-49页
       ·光催化活性的影响因素第49-50页
         ·焙烧温度第49-50页
         ·尿素添加量第50页
     ·以碳酸氢氨作为添加剂制备的二氧化钛第50-55页
       ·二氧化钛的表征第50-53页
         ·X射线衍射光谱(XRD)第50-51页
         ·扫描电子显微镜(SEM)第51-52页
         ·红外吸收光谱(FT-IR)第52-53页
       ·光催化性能第53-54页
       ·光催化活性的影响因素第54-55页
         ·焙烧温度第54页
         ·碳酸氢氨添加量第54-55页
   ·本章小结第55-56页
第四章 总结与展望第56-58页
   ·总结第56-57页
   ·展望第57-58页
参考文献第58-68页
附录第68-69页
致谢第69页

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