| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·GaN 材料的研究意义 | 第8页 |
| ·GaN 基材料的发展历程 | 第8-9页 |
| ·GaN 的基本性质 | 第9-12页 |
| ·GaN 基材料的器件应用 | 第12-14页 |
| ·GaN 晶体生长的基本方法 | 第14-16页 |
| ·论文的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 预备知识 | 第18-36页 |
| ·GaN MOCVD 生长系统介绍 | 第18-25页 |
| ·MOCVD 技术介绍 | 第18页 |
| ·MOCVD 系统的基本组成 | 第18-20页 |
| ·MOCVD 反应室分类 | 第20-22页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 晶体薄膜的生长机制与模式 | 第22-25页 |
| ·流体力学基本概念 | 第25-30页 |
| ·基本概念和原理 | 第25-26页 |
| ·流体运动的基本方程组 | 第26-28页 |
| ·流体力学中的理论模型 | 第28-30页 |
| ·PROCOM 软件系统介绍 | 第30-34页 |
| ·PROCOM 软件介绍 | 第30-31页 |
| ·PROCOM 的物理模型和特色 | 第31页 |
| ·PROCOM 软件系统的组成 | 第31-34页 |
| ·本 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 卧式 MOCVD 系统反应室的模拟计算 | 第36-56页 |
| ·卧式MOCVD 系统反应室模型的建立 | 第36-37页 |
| ·GaN 材料化学反应机理 | 第37页 |
| ·边界条件 | 第37-39页 |
| ·气体参数对GaN 生长速率的影响 | 第39-45页 |
| ·温度对GaN生长速率的影响 | 第45-47页 |
| ·反应室压强对GaN生长速率的影响 | 第47-48页 |
| ·停滞层对GaN生长均匀性的影响 | 第48-51页 |
| ·基座的倾斜对GaN生长的影响 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 立式MOCVD 系统反应室的模拟计算 | 第56-66页 |
| ·西安电子科技大学立式MOCVD 系统反应室简介 | 第56-57页 |
| ·西安电子科技大学MOCVD 反应室模型的建立 | 第57-59页 |
| ·载气流量对温度场分布的影响 | 第59-62页 |
| ·反应室结构对生长速率的影响 | 第62-64页 |
| ·石英管内径对GaN 材料生长的影响 | 第62-63页 |
| ·基座半径对GaN 材料生长的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表（录用）论文 | 第74-76页 |
| 附录 | 第76-79页 |