电化学腐蚀技术制备微通道列阵

摘要	第1-4页
ABSTRACT	第4-5页
目录	第5-7页
第一章 绪论	第7-15页
§1.1 微电子机械系统及其微加工技术	第7-9页
§1.2 微通道列阵及其应用	第9-12页
§1.3 硅微通道列阵加工技术的国内外现状	第12-13页
§1.4 主要研究内容及意义	第13-15页
第二章 硅微通道列阵微加工原理	第15-35页
§2.1 基体材料的选取原则	第15-16页
§2.2 半导体材料掺杂类型及浓度的测定原理	第16-18页
§2.3 二氧化硅膜的制备原理	第18-21页
§2.4 光刻技术及其原理	第21-24页
§2.5 硅的各向异性腐蚀原理	第24-26页
§2.6 欧姆接触的形成技术	第26-29页
§2.7 微通道列阵形成的电化学工艺原理	第29-35页
第三章 硅微通道列阵的形成实验	第35-41页
§3.1 硅微通道列阵刻蚀的工艺流程	第35页
§3.2 基体材料的选取、测试利处理	第35-36页
§3.3 硅基片的热氧化工艺	第36-37页
§3.4 光刻实验	第37-38页
§3.5 诱导坑的刻蚀	第38页
§3.6 欧姆接触的制备	第38-40页
§3.7 硅微通道列阵的电化学刻蚀	第40-41页
第四章 分析与讨论	第41-53页
§4.1 光刻工艺中一些问题的分析与讨论	第41-44页
§4.2 缓冲氢氟酸腐蚀剂BHF的作用	第44-45页
§4.3 诱导坑的刻蚀	第45-47页
§4.4 欧姆接触工艺问题的分析	第47-49页
§4.5 微通道形貌的理论分析	第49-51页
§4.6 传质过程对电化学刻蚀速率的影响	第51-53页
结论	第53-54页
致谢	第54-55页
参考文献	第55-57页