| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| ·半导体研究背景 | 第11-12页 |
| ·半导体材料简介 | 第12-14页 |
| ·半导体材料的概念 | 第12-13页 |
| ·半导体材料的性能 | 第13-14页 |
| ·半导体器件简介 | 第14-18页 |
| ·半导体器件的基础结构 | 第14-15页 |
| ·半导体器件的发展 | 第15-18页 |
| ·有机半导体材料及其研究进展 | 第18-20页 |
| ·有机半导体材料的概念及特点 | 第18-19页 |
| ·有机半导体材料的研究进展 | 第19-20页 |
| ·本研究的内容和意义 | 第20-22页 |
| 2 试验介绍 | 第22-39页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·超高真空系统 | 第23-26页 |
| ·真空技术的发展和真空系统的分类 | 第23-25页 |
| ·表面分析对超高真空的要求 | 第25-26页 |
| ·薄膜生长 | 第26-34页 |
| ·清洁表面的制备 | 第26-31页 |
| ·石英晶体振动测厚仪原理 | 第31-33页 |
| ·薄膜生长与膜厚控制 | 第33-34页 |
| ·紫外光电子能谱仪 | 第34-39页 |
| ·光电子能谱基本原理 | 第34-35页 |
| ·仪器装置 | 第35-39页 |
| 3 有机半导体TETRACENE在Si(111)及SiO_2/Si表面的结构和电子态研究 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验条件 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-43页 |
| ·结论 | 第43-45页 |
| 4 有机半导体PERYLENE在Si(111)及SiO_2/Si表面的结构和电子态研究 | 第45-51页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验条件 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 5 总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第55页 |