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0.18um到90nm工艺转变对P&R影响的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·布局布线的发展第7-8页
   ·课题研究背景第8-9页
   ·研究意义第9页
   ·论文主要内容及架构第9-11页
第二章 TSMC90nm标准单元库里特殊单元第11-21页
   ·引言第11页
   ·门控时钟单元第11-13页
   ·Blanced时钟单元第13-15页
   ·延时单元第15-16页
   ·天线效应修复单元第16-19页
     ·什么是天线效应第16页
     ·天线效应机理第16页
     ·天线效应的分析第16-17页
     ·天线效应的产生分类第17页
     ·天线效应的消除方法第17-19页
     ·天线修复标准单元第19页
   ·去耦电容单元第19页
   ·Tie-high/Tie-low单元第19-21页
第三章 数据准备第21-24页
   ·P&R所需的各种数据第21-22页
   ·Configure文件的准备第22-24页
第四章 布图规划和布局第24-36页
   ·引言第24页
   ·布图规划第24-27页
     ·布图规划的内容第25-27页
   ·电源规划第27-32页
     ·电压降第27-29页
     ·电迁移第29-30页
     ·电源网络的设计步骤第30页
     ·电源环和电源条线第30-32页
   ·布局第32-36页
     ·预布线(trialroute)第32-34页
     ·扫描链第34-36页
第五章 时钟树综合第36-48页
   ·引言第36页
   ·同步时序电路第36-42页
     ·数字系统的时序分类第36-37页
     ·同步时序电路原理第37-40页
     ·时钟偏差和时钟抖动第40-42页
   ·时钟树综合第42-46页
     ·时钟树的定义第42-43页
     ·时钟树的结构第43页
     ·时钟树综合的方式第43-46页
   ·sdc文件的重要性第46-48页
第六章 时序优化和信号完整性分析第48-60页
   ·引言第48页
   ·分析模式的选择第48-55页
     ·BC_WC和OCV模式的区别第50-53页
     ·BC_WC+timing derating第53-55页
   ·信号完整性分析第55-60页
     ·串扰的定义第56页
     ·串扰噪声的影响第56-57页
     ·抗串扰噪声的方式第57-58页
     ·后端设计中对串扰噪声的预防和优化第58-60页
第七章 布线和可制造性设计第60-72页
   ·引言第60页
   ·布线第60-63页
   ·天线规则的定义第63-65页
   ·冗余通孔(Double vias)第65-66页
   ·金属脱落(Metal liftoff)第66-67页
   ·金属密度第67-71页
     ·金属过刻(Metal Over-Etching)第67-68页
     ·金属侵蚀(Metal Erosion)第68-69页
     ·Wire Spreading+Widening第69-71页
   ·可制造性设计总结第71-72页
第八章 Lakers项目P&R介绍第72-79页
第九章 结束语第79-81页
参考文献第81-83页
致谢第83-84页

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