| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-40页 |
| ·有机薄膜晶体管的发展 | 第13-17页 |
| ·有机薄膜晶体管的结构及制备方法 | 第17-22页 |
| ·有机薄膜晶体管的结构 | 第17-21页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备方法 | 第21-22页 |
| ·微晶硅薄膜晶体管的研究现状 | 第22-27页 |
| ·微晶硅薄膜晶体的结构和制备工艺 | 第27-30页 |
| ·薄膜晶体管的性能表征 | 第30-33页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第33-34页 |
| ·参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 有机薄膜晶体管中的接触效应研究 | 第40-83页 |
| ·金属与半导体接触理论 | 第40-43页 |
| ·金属和半导体接触模型 | 第40-42页 |
| ·金属半导体电流输运理论 | 第42-43页 |
| ·基于接触区域掺杂改善Au 源漏电极接触 | 第43-57页 |
| ·基于有机材料F_4-TCNQ 掺杂层的薄膜晶体管 | 第44-50页 |
| ·基于无机材料MoO_x 掺杂层的薄膜晶体管 | 第50-57页 |
| ·用W0_3/Au 复合电极减小接触电阻 | 第57-61页 |
| ·实验 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-61页 |
| ·基于UV/ozone 处理过Au 电极的薄膜晶体管 | 第61-69页 |
| ·实验细节 | 第62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-69页 |
| ·基于MoO_x/Cu 复合电极的薄膜晶体管 | 第69-77页 |
| ·实验细节 | 第71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| ·参考文献 | 第78-83页 |
| 第三章 基于 PECVD 方法制备的绝缘层的 OTFT 器件研究 | 第83-103页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·基于PECVD 方法制备的SiN_x 绝缘层的pentacene-TFT | 第83-93页 |
| ·实验方法与测试 | 第85-86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-93页 |
| ·基于PECVD 方法制备的SiOx 绝缘层的pentacene-TFT | 第93-98页 |
| ·实验方法与测试 | 第93-94页 |
| ·结果与分析 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| ·参考文献 | 第99-103页 |
| 第四章 微晶硅薄膜的性能研究 | 第103-122页 |
| ·引言 | 第103-110页 |
| ·微晶硅薄膜的制备方法 | 第103-106页 |
| ·微晶硅薄膜的表征 | 第106-107页 |
| ·微晶硅薄膜的成膜机理 | 第107-110页 |
| ·实验结果与讨论 | 第110-118页 |
| ·氢稀释比（RH）对微晶硅薄膜性质的影响 | 第110-113页 |
| ·衬底温度对微晶硅薄膜性质的影响 | 第113-114页 |
| ·射频功率密度对微晶硅薄膜性质的影响 | 第114-116页 |
| ·反应气体压强对微晶硅薄膜性质的影响 | 第116-118页 |
| ·本章小结 | 第118页 |
| ·参考文献 | 第118-122页 |
| 第五章 无重掺杂层的微晶硅 TFT 的探究及其微晶硅 TFT 的阵列技术研究 | 第122-142页 |
| ·前言 | 第122页 |
| ·基于新型的源漏电极的无重掺杂层的微晶硅TFT | 第122-133页 |
| ·采用铝合金作为源漏电极 | 第122-128页 |
| ·采用Al/LiF 作为源漏电极 | 第128-133页 |
| ·微晶硅TFT 阵列研究 | 第133-139页 |
| ·本章小结 | 第139-140页 |
| ·参考文献 | 第140-142页 |
| 第六章 结论 | 第142-145页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第145-148页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第148-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
