硅漂移探测器（SDD）分压器的设计和工艺实现研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 X射线探测器 | 第9-12页 |
| 1.2.1 充气式探测器 | 第10页 |
| 1.2.2 闪烁探测器 | 第10-11页 |
| 1.2.3 半导体探测器 | 第11-12页 |
| 1.3 硅漂移探测器(SDD) | 第12-15页 |
| 1.3.1 圆环形硅漂移探测器 | 第12-13页 |
| 1.3.2 液滴状SDD(SD~3) | 第13-14页 |
| 1.3.3 3D探测器 | 第14-15页 |
| 1.4 分压器的工作原理 | 第15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 分压器的制备与表征 | 第16-24页 |
| 2.1 分压器的制备 | 第16-20页 |
| 2.1.1 扩散法 | 第16-17页 |
| 2.1.2 多晶硅法 | 第17-18页 |
| 2.1.3 离子注入法 | 第18-20页 |
| 2.2 分压器的表征 | 第20-23页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第20页 |
| 2.2.2 小信号高低温在片测试系统 | 第20-21页 |
| 2.2.3 电化学电容电压(ECV) | 第21-22页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 分压器的模拟与设计 | 第24-29页 |
| 3.1 模拟参数设置 | 第24-26页 |
| 3.2 分压器宽度设计 | 第26-28页 |
| 3.3 分压器长度设计 | 第28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 扩散型分压器 | 第29-37页 |
| 4.1 扩散型分压器的制备 | 第29-31页 |
| 4.2 通源时间对分压器的影响 | 第31页 |
| 4.3 通源期间O_2流量对分压器的影响 | 第31-32页 |
| 4.4 预氧化期间O_2流量对分压器的影响 | 第32-33页 |
| 4.5 不同测试温度对分压器的影响 | 第33-36页 |
| 4.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 多晶硅型分压器 | 第37-46页 |
| 5.1 多晶硅型分压器的制备 | 第37-38页 |
| 5.2 非晶硅生长时间对分压器的影响 | 第38-40页 |
| 5.3 不同退火温度对分压器的影响 | 第40-42页 |
| 5.4 不同测试温度对分压器的影响 | 第42-43页 |
| 5.5 对掺杂进行控制的两种改进方法 | 第43-45页 |
| 5.5.1 改变关掉B_2H_6后等待起辉的时间 | 第43-44页 |
| 5.5.2 改变B_2H_6通入的起止时间 | 第44-45页 |
| 5.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 离子注入型分压器 | 第46-56页 |
| 6.1 离子注入型分压器的制备 | 第46-47页 |
| 6.2 不同注入条件对分压器的影响 | 第47-49页 |
| 6.3 不同退火条件对分压器的影响 | 第49-50页 |
| 6.4 不同测试温度对分压器的影响 | 第50-52页 |
| 6.5 将注入型分压器集成到硅漂移探测器 | 第52-55页 |
| 6.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 全文总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
