| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 主要物理符号 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-33页 |
| 1.1 核聚变与聚变堆 | 第14-18页 |
| 1.1.1 核聚变 | 第14-15页 |
| 1.1.2 ITER与CFETR | 第15-18页 |
| 1.2 聚变堆部件与材料 | 第18-26页 |
| 1.2.1 ITER-TBM与CFETR包层 | 第18-23页 |
| 1.2.2 偏滤器 | 第23-26页 |
| 1.3 聚变堆等离子体参数分布 | 第26-29页 |
| 1.4 氢同位素在聚变堆中渗透滞留行为 | 第29-33页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第29-30页 |
| 1.4.2 研究现状 | 第30-31页 |
| 1.4.3 研究内容 | 第31-33页 |
| 第2章 氢同位素在材料中渗透与滞留机理 | 第33-49页 |
| 2.1 氢分子的吸附 | 第33-34页 |
| 2.2 氢粒子的反射与注入 | 第34-37页 |
| 2.3 氢的再结合 | 第37-38页 |
| 2.4 氢的溶解 | 第38-39页 |
| 2.5 氢的扩散 | 第39-40页 |
| 2.6 缺陷捕获 | 第40-43页 |
| 2.7 氢的解吸 | 第43-44页 |
| 2.8 稳态渗透 | 第44-49页 |
| 第3章 材料与研究方法 | 第49-81页 |
| 3.1 实验材料 | 第49页 |
| 3.2 材料表征 | 第49-54页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜 | 第49-51页 |
| 3.2.2 透射电子显微镜 | 第51页 |
| 3.2.3 X射线光电子能谱 | 第51-52页 |
| 3.2.4 正电子湮没谱 | 第52-54页 |
| 3.3 实验室氢同位素渗透滞留实验平台 | 第54-72页 |
| 3.3.1 热脱附谱-气体驱动渗透联合实验平台 | 第54-56页 |
| 3.3.2 实验室ECR等离子体驱动渗透实验平台建设 | 第56-72页 |
| 3.4 EAST氢同位素渗透滞留实验平台 | 第72-74页 |
| 3.4.1 EAST等离子体辐照实验平台 | 第72-73页 |
| 3.4.2 EAST等离子体驱动渗透实验平台建设 | 第73-74页 |
| 3.5 模拟程序 | 第74-79页 |
| 3.5.1 SRIM程序 | 第74-75页 |
| 3.5.2 TMAP程序 | 第75-79页 |
| 3.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 第4章 氘在结构材料中的渗透滞留行为 | 第81-111页 |
| 4.1 氘在RAFM钢中的渗透滞留行为 | 第81-94页 |
| 4.1.1 氘在RAFM钢中的输运参数与滞留行为 | 第81-89页 |
| 4.1.2 氦对RAFM钢中氘滞留行为的影响 | 第89-94页 |
| 4.2 氘在钒合金中的渗透滞留行为 | 第94-98页 |
| 4.3 氘在铜合金中的渗透滞留行为 | 第98-109页 |
| 4.3.1 氘在铜合金中的输运参数与滞留行为 | 第99-104页 |
| 4.3.2 热处理对CuCrZr合金中氘滞留行为的影响 | 第104-109页 |
| 4.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 第5章 氘在面向等离子体材料中的渗透滞留行为 | 第111-128页 |
| 5.1 氘在轧制钨中的渗透滞留行为 | 第111-117页 |
| 5.2 氘在钨沉积层中的渗透滞留行为 | 第117-126页 |
| 5.3 本章小结 | 第126-128页 |
| 第6章 氘在面向等离子体部件中的渗透行为 | 第128-134页 |
| 6.1 实验室模拟穿管型部件氘渗透实验 | 第128-130页 |
| 6.2 ITER偏滤器参数下氚渗透量 | 第130-132页 |
| 6.3 偏滤器部件阻氚设计 | 第132-134页 |
| 第7章 结论 | 第134-137页 |
| 7.1 全文总结 | 第134-136页 |
| 7.2 论文创新点 | 第136页 |
| 7.3 工作展望 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第151-152页 |