| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 二维层状材料研究状况 | 第11-22页 |
| 1.1.1 二维层状材料研究背景 | 第11-12页 |
| 1.1.2 二维材料分类 | 第12-18页 |
| 1.1.3 二维材料制备方法 | 第18-22页 |
| 1.2 二维材料的环境不稳定性 | 第22-25页 |
| 1.2.1 黑磷的环境不稳定性 | 第22-24页 |
| 1.2.2 MoTe_2的环境不稳定性 | 第24-25页 |
| 1.3 碲化钨(WTe_2)研究状况 | 第25-33页 |
| 1.3.1 非饱和磁电阻 | 第26-27页 |
| 1.3.2 高压下超导 | 第27-28页 |
| 1.3.3 门电压调控超导相变 | 第28-30页 |
| 1.3.4 碱金属插层导致超导相变 | 第30-31页 |
| 1.3.5 量子自旋霍尔效应 | 第31-33页 |
| 1.4 碲化镓(Gallium Telluride,GaTe)研究状况 | 第33-36页 |
| 1.5 本文的研究目的和研究内容 | 第36-39页 |
| 第2章 实验方法 | 第39-55页 |
| 2.1 二维材料的制备方法 | 第39-48页 |
| 2.1.1 二维材料单晶的生长方法 | 第39页 |
| 2.1.2 二维材料异质结的人工堆垛方法 | 第39-45页 |
| 2.1.3 二维材料微纳器件的加工方法 | 第45-48页 |
| 2.2 二维材料的表征方法 | 第48-55页 |
| 2.2.1 X-射线衍射分析 | 第48页 |
| 2.2.2 光学显微镜 | 第48-49页 |
| 2.2.3 拉曼光谱和光致发光谱 | 第49-51页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第51页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第51-52页 |
| 2.2.6 透射电子显微镜 | 第52页 |
| 2.2.7 基于综合物性测量系统的电输运测试系统 | 第52-54页 |
| 2.2.8 探针台 | 第54-55页 |
| 第3章 少数层WTe_2环境不稳定性研究 | 第55-67页 |
| 3.1 引言 | 第55页 |
| 3.2 块体样品制备及性能表征 | 第55-58页 |
| 3.3 少数层样品制备及性能表征 | 第58-60页 |
| 3.4 少数层WTe_2在空气中不稳定性 | 第60-65页 |
| 3.4.1 在光学显微镜下观察 | 第60-61页 |
| 3.4.2 少数层WTe_2拉曼表征 | 第61-63页 |
| 3.4.3 少数层WTe_2透射电镜表征 | 第63-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 少数层WTe_2纳米器件的电学性质 | 第67-81页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 纳米器件制备 | 第68-70页 |
| 4.3 门电压可调性 | 第70-72页 |
| 4.4 缺陷诱导的量子输运行为 | 第72-75页 |
| 4.5 库仑能隙的出现 | 第75-80页 |
| 4.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 少数层WTe2拉曼光谱研究 | 第81-89页 |
| 5.1 前言 | 第81-83页 |
| 5.2 随层数变化的拉曼曲线 | 第83-85页 |
| 5.3 随温度变化的拉曼曲线 | 第85-87页 |
| 5.4 异质结的拉曼曲线 | 第87页 |
| 5.5 本章小结 | 第87-89页 |
| 第6章 少数层GaTe电学性质和光学性质研究 | 第89-109页 |
| 6.1 前言 | 第89-91页 |
| 6.2 GaTe样品制备 | 第91-93页 |
| 6.3 GaTe的环境不稳定性及防护措施 | 第93-99页 |
| 6.4 GaTe的光致发光谱 | 第99-101页 |
| 6.5 偏振拉曼光谱揭示GaTe的各向异性 | 第101-103页 |
| 6.6 GaTe随层数变化的拉曼曲线 | 第103-104页 |
| 6.7 GaTe的输运性质测量 | 第104-106页 |
| 6.8 本章小结 | 第106-109页 |
| 第7章 全文结论 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第125-127页 |
| 作者简历 | 第127页 |