| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 防伪技术概述 | 第12-13页 |
| 1.2 光变图像防伪技术 | 第13-16页 |
| 1.3 基于亚波长结构光变图像防伪技术的国内外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4 亚波长结构光学元件的制作和复制技术 | 第20-24页 |
| 1.4.1 纳米压印模板的制作 | 第21-23页 |
| 1.4.2 亚波长结构光学元件的复制技术 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及创新点 | 第24-27页 |
| 1.5.1 本文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 1.5.2 本文的创新点 | 第26页 |
| 1.5.3 本文的结构 | 第26-27页 |
| 1.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第2章 亚波长结构三色防伪光变器的理论基础 | 第28-46页 |
| 2.1 亚波长结构的滤波原理 | 第28-33页 |
| 2.1.1 导模共振效应 | 第29页 |
| 2.1.2 等效波导模型 | 第29-33页 |
| 2.2 严格耦合波分析法 | 第33-42页 |
| 2.2.1 矢量衍射理论概况 | 第33-34页 |
| 2.2.2 任意偏振光入射双层亚波长波导光栅的严格耦合波分析法 | 第34-42页 |
| 2.3 遗传优化算法 | 第42-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 亚波长结构三色防伪光变器的设计及分析 | 第46-79页 |
| 3.1 亚波长结构三色防伪光变器的设计 | 第47-54页 |
| 3.1.1 亚波长结构三色防伪光变器仿真模型的建立 | 第47-48页 |
| 3.1.2 严格耦合波程序的编制及验证 | 第48-51页 |
| 3.1.3 评价函数的建立 | 第51-52页 |
| 3.1.4 遗传算法优化 | 第52-54页 |
| 3.2 设计结果及验证 | 第54-57页 |
| 3.3 亚波长结构三色防伪光变器的物理机理分析 | 第57-61页 |
| 3.4 材料色散分析 | 第61-63页 |
| 3.5 关键参数冗余度分析 | 第63-69页 |
| 3.5.1 周期冗余度分析 | 第63-64页 |
| 3.5.2 槽深冗余度分析 | 第64-66页 |
| 3.5.3 膜厚冗余度分析 | 第66-67页 |
| 3.5.4 入射角冗余度分析 | 第67-68页 |
| 3.5.5 结论 | 第68-69页 |
| 3.6 基于ZnS覆盖膜三色光变器的设计及分析 | 第69-77页 |
| 3.6.1 基于ZnS覆盖膜三色光变器的设计 | 第69-71页 |
| 3.6.2 材料色散分析 | 第71-73页 |
| 3.6.3 参数冗余度分析 | 第73-77页 |
| 3.6.4 结论 | 第77页 |
| 3.7 本章小结 | 第77-79页 |
| 第4章 亚波长三色防伪光变器的制作及测试 | 第79-103页 |
| 4.1 Si模板制作及结构测试 | 第79-83页 |
| 4.1.1 电子束曝光 | 第79-80页 |
| 4.1.2 电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE) | 第80-81页 |
| 4.1.3 工艺参数及结构测试 | 第81-83页 |
| 4.2 PET版制作及结构测试 | 第83-87页 |
| 4.2.1 软刻蚀 | 第83-84页 |
| 4.2.2 紫外压印 | 第84-85页 |
| 4.2.3 电镀 | 第85页 |
| 4.2.4 热压印 | 第85-86页 |
| 4.2.5 结构测试 | 第86-87页 |
| 4.3 镀膜工艺及结构测试 | 第87-97页 |
| 4.3.1 镀膜工艺简介 | 第87-88页 |
| 4.3.2 蒸发镀膜 | 第88-90页 |
| 4.3.3 确定镀膜厚度 | 第90-97页 |
| 4.3.4 工艺参数及膜厚测试 | 第97页 |
| 4.4 亚波长结构三色防伪光变器反射效率测试分析 | 第97-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第5章 总结与展望 | 第103-106页 |
| 5.1 论文的主要研究成果 | 第103-105页 |
| 5.2 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第118页 |
