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高功率半导体激光器阵列热应力/应变特性研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第1章 引言第11-25页
    1.1 半导体激光器介绍第11-17页
        1.1.1 半导体激光器的发展历史第11-12页
        1.1.2 半导体激光器的基本工作原理第12-14页
        1.1.3 半导体激光器的分类第14-15页
        1.1.4 半导体激光器的应用第15-17页
    1.2 本文研究目标及研究意义第17-18页
        1.2.1 研究内容及目标第17页
        1.2.2 研究意义第17-18页
    1.3 国内外研究现状第18-22页
        1.3.1 国外研究现状第18-20页
        1.3.2 国内研究现状第20-22页
    1.4 研究创新点及技术路线第22-23页
        1.4.1 创新点第22-23页
        1.4.2 研究技术路线第23页
    1.5 论文结构第23-25页
第2章 热应力理论模型第25-35页
    2.1 热应力基础计算理论第25-26页
    2.2 基于梁理论的多层结构热力学模型第26-31页
    2.3 薄膜-衬底力学模型第31-33页
    2.4 本章小结第33-35页
第3章 硬焊料封装传导冷却型半导体激光器热应力行为研究第35-59页
    3.1 有限元模型第35-38页
        3.1.1 模拟结构与简化第35-37页
        3.1.2 求解边界条件第37-38页
    3.2 材料属性第38-41页
        3.2.1 芯片结构第38-39页
        3.2.2 铜钨和金刚石第39-40页
        3.2.3 金锡焊料性能介绍第40-41页
    3.3 负极结构对热应力及“Smile”的影响第41-43页
    3.4 封装材料对热应力及“Smile”的影响第43-46页
        3.4.1 使用不同材料的四种器件结构第43-44页
        3.4.2 四种结构器件的热应力及“Smile”仿真结果对比分析第44-46页
    3.5 封装尺寸对热应力及“Smile”的影响第46-54页
        3.5.1 器件回流热应力及“Smile”随芯片宽度的变化规律第46-49页
        3.5.2 CuW长度对器件热应力及“Smile”的影响第49-50页
        3.5.3 负极厚度对器件热应力及“Smile”的影响第50-51页
        3.5.4 次热沉厚度对器件热应力及“Smile”的影响第51-53页
        3.5.5 次热沉宽度对器件热应力及“Smile”的影响第53-54页
    3.6 实验结果第54-57页
        3.6.1 “Smile”测量设备和计算方法第55页
        3.6.2 不同芯片宽度实验结果分析第55-56页
        3.6.3 不同次热沉厚度实验结果分析第56-57页
    3.7 本章小结第57-59页
第4章 高峰值功率下微通道半导体激光器瞬态热力学行为研究第59-69页
    4.1 有限元模型第59-62页
        4.1.1 模型结构与简化第59-60页
        4.1.2 等效对流系数计算原理第60-61页
        4.1.3 根据实验结果和模拟结果计算得到等效对流系数第61-62页
    4.2 温度、热应力及“Smile”随加载时间变化第62-64页
    4.3 MCC温度对器件瞬态热应力及“Smile”的影响第64-65页
    4.4 工作电流对器件瞬态温度的影响第65-66页
    4.5 脉冲宽度对器件瞬态热应力及“Smile”的影响第66-67页
    4.6 本章小结第67-69页
第5章 总结与展望第69-73页
    5.1 主要结论第69-70页
    5.2 未来研究方向展望第70-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-79页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第79页

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