| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 GaAs和InP材料的基本性质 | 第13-15页 |
| 1.3 In_xGa_(1-x)As材料的应用 | 第15页 |
| 1.4 In_xGa_(1-x)As材料的基本性质 | 第15-18页 |
| 1.5 In_xGa_(1-x)As半导体材料的制备方法 | 第18-20页 |
| 1.5.1 分子束外延法 | 第18页 |
| 1.5.2 金属有机化合物化学气相沉积法 | 第18-20页 |
| 1.6 异质外延生长的晶格失配的研究 | 第20-24页 |
| 1.7 降低失配位错的主要方法 | 第24-26页 |
| 1.7.1 单层缓冲层 | 第25页 |
| 1.7.2 组分渐变缓冲层 | 第25页 |
| 1.7.3 超晶格缓冲层 | 第25-26页 |
| 1.8 研究内容与技术路线 | 第26-29页 |
| 第2章 样品的制备与表征 | 第29-43页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 本论文中所用到的主要试剂及耗材 | 第29页 |
| 2.3 外延层及缓冲层制备工艺 | 第29-33页 |
| 2.4 金属In与GaAs界面反应实验 | 第33-36页 |
| 2.4.1 润湿实验 | 第33-35页 |
| 2.4.2 In诱导GaAs表面形成In_xGa_(1-x)As缓冲层 | 第35-36页 |
| 2.5 样品的表征 | 第36-42页 |
| 2.5.1 双晶XRD技术 | 第36-37页 |
| 2.5.2 原子力显微镜 | 第37页 |
| 2.5.3 拉曼光谱 | 第37-38页 |
| 2.5.4 XPS技术 | 第38页 |
| 2.5.5 霍尔效应 | 第38-39页 |
| 2.5.6 扫描电镜 | 第39页 |
| 2.5.7 透射电镜 | 第39-42页 |
| 2.5.7.1 离子减薄技术 | 第40-41页 |
| 2.5.7.2 聚焦离子束减薄技术 | 第41-42页 |
| 2.6 本论文所用的实验设备(器材)及型号 | 第42-43页 |
| 第3章 In_xGa_(1-x)As/InP体系异质生长过程中位错的形成及演化 | 第43-69页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 不同失配度下位错形成及演化 | 第43-60页 |
| 3.2.1 界面位错的形成 | 第43-52页 |
| 3.2.2 外延层中位错的演化 | 第52-54页 |
| 3.2.3 位错对外延层表面的影响 | 第54-60页 |
| 3.3 相同失配度下位错与表面研究 | 第60-64页 |
| 3.4 位错形成机理及演化模型 | 第64-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第4章 In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP异质界面位错抑制研究 | 第69-93页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 不同In组分及超晶格缓冲层对外延层的影响 | 第69-77页 |
| 4.2.1 表面形貌 | 第69-74页 |
| 4.2.2 结晶质量与位错密度 | 第74-75页 |
| 4.2.3 残余应力 | 第75-76页 |
| 4.2.4 霍尔效应 | 第76-77页 |
| 4.3 不同缓冲层厚度对外延层的影响 | 第77-84页 |
| 4.3.1 表面形貌 | 第77-81页 |
| 4.3.2 结晶质量与残余应力 | 第81-82页 |
| 4.3.3 位错密度的计算 | 第82-84页 |
| 4.3.4 霍尔效应 | 第84页 |
| 4.4 缓冲层抑制位错机理的探讨 | 第84-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-93页 |
| 第5章 金属In与GaAs衬底的润湿性与界面反应研究 | 第93-107页 |
| 5.1 引言 | 第93-94页 |
| 5.2 传统座滴法与挤压低落法的比较 | 第94-95页 |
| 5.3 熔融In与GaAs的润湿性 | 第95-99页 |
| 5.4 In诱导GaAs界面反应及生成物的研究 | 第99-105页 |
| 5.5 本章小结 | 第105-107页 |
| 第6章 GaAs表面In_xGa_(1-x)As缓冲层制备及外延生长研究 | 第107-123页 |
| 6.1 引言 | 第107页 |
| 6.2 In诱导GaAs表面In_xGa_(1-x)As缓冲层形成的研究 | 第107-113页 |
| 6.3 In诱导形成的缓冲层对外延生长In_xGa_(1-x)As的影响 | 第113-118页 |
| 6.4 外延层性能分析 | 第118-121页 |
| 6.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 第7章 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-141页 |
| 作者简介及科研成果 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143页 |
