基于REC技术的GaN基DFB半导体激光器研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 光子集成技术 | 第8-10页 |
| 1.2 半导体激光器简介 | 第10-16页 |
| 1.2.1 半导体激光器的发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体激光器的工作原理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 半导体激光器的分类 | 第12-14页 |
| 1.2.4 分布反馈式(DFB)激光器基本原理 | 第14-16页 |
| 1.3 GaN基激光器 | 第16-19页 |
| 1.3.1 GaN基激光器的应用 | 第16-17页 |
| 1.3.2 GaN基激光器的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 模拟仿真理论基础及重构等效啁啾技术 | 第21-36页 |
| 2.1 GaN基材料的基本性质 | 第21-23页 |
| 2.2 耦合模理论 | 第23-27页 |
| 2.3 传输矩阵法 | 第27-30页 |
| 2.4 重构等效啁啾技术 | 第30-34页 |
| 2.4.1 产生背景 | 第30页 |
| 2.4.2 等效啁啾 | 第30-32页 |
| 2.4.3 等效相移 | 第32-33页 |
| 2.4.4 REC | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 基于REC技术的GaN基激光器可行性研究 | 第36-47页 |
| 3.1 单波长DFB激光器结构的设计 | 第36-38页 |
| 3.2 取样光栅结构的设计 | 第38-39页 |
| 3.3 单波长DFB激光器的性能分析 | 第39-45页 |
| 3.3.1 光栅的透射谱分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 激光器腔内光场分析 | 第40-42页 |
| 3.3.3 激光器P-I曲线分析 | 第42-43页 |
| 3.3.4 光谱和边模抑制比分析 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于REC技术的GaN基激光器优化 | 第47-66页 |
| 4.1 激光器腔的优化研究 | 第47-51页 |
| 4.1.1 腔长对激光器性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.1.2 有源层厚度对激光器性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.2 取样光栅的优化研究 | 第51-59页 |
| 4.2.1 等效λ/8相移 | 第51-54页 |
| 4.2.2 非对称相移 | 第54-56页 |
| 4.2.3 二次曝光技术 | 第56-59页 |
| 4.3 抑制空间烧孔效应的优化研究 | 第59-64页 |
| 4.3.1 等效三相移 | 第59-61页 |
| 4.3.2 等效CPM结构 | 第61-63页 |
| 4.3.3 抑制空间烧孔效应的新型激光器 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
