1-4GHz宽带低噪声放大器的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 主要工作 | 第11-12页 |
| 1.4 论文结构 | 第12-14页 |
| 第二章 宽带低噪声放大器基本理论 | 第14-26页 |
| 2.1 放大器技术指标 | 第14-17页 |
| 2.1.1 噪声系数 | 第14-15页 |
| 2.1.2 增益 | 第15-16页 |
| 2.1.3 线性度 | 第16-17页 |
| 2.2 GaAs pHEMT器件结构与工作原理 | 第17-19页 |
| 2.3 GaAs pHEMT等效电路模型 | 第19-22页 |
| 2.4 GaAs pHEMT噪声分析 | 第22-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 宽带低噪声放大器的设计分析 | 第26-41页 |
| 3.1 传统的宽带匹配技术 | 第26-30页 |
| 3.1.1 并联电阻负反馈结构 | 第26-27页 |
| 3.1.2 带通滤波器宽带匹配 | 第27-28页 |
| 3.1.3 分布式放大器 | 第28-29页 |
| 3.1.4 共栅极输入技术 | 第29页 |
| 3.1.5 宽带匹配技术总结 | 第29-30页 |
| 3.2 自偏置负反馈电路与匹配分析 | 第30-37页 |
| 3.2.1 电路阻抗分析 | 第31-33页 |
| 3.2.2 电路带宽分析 | 第33-35页 |
| 3.2.3 电路噪声分析 | 第35-37页 |
| 3.3 匹配电路 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 宽带低噪声放大器的电路仿真 | 第41-53页 |
| 4.1 晶体管大小与直流偏置 | 第41-42页 |
| 4.2 自偏置负反馈电路的仿真 | 第42-47页 |
| 4.3 噪声匹配与功率匹配的仿真 | 第47-49页 |
| 4.4 电路稳定性仿真 | 第49-50页 |
| 4.5 电路的前仿真分析 | 第50-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 宽带低噪声放大器的版图设计优化与测试 | 第53-72页 |
| 5.1 电路版图设计 | 第53-54页 |
| 5.2 寄生效应分析 | 第54-56页 |
| 5.2.1 PAD与TSV的寄生 | 第54-55页 |
| 5.2.2 互连线寄生 | 第55页 |
| 5.2.3 信号耦合寄生 | 第55-56页 |
| 5.3 版图的仿真 | 第56-57页 |
| 5.3.1 版图的EM仿真 | 第56-57页 |
| 5.3.2 版图的联合仿真 | 第57页 |
| 5.4 联合仿真结果及分析 | 第57-60页 |
| 5.5 芯片测试 | 第60-65页 |
| 5.5.1 在片测试 | 第61页 |
| 5.5.2 键合测试 | 第61-65页 |
| 5.6 测试结果分析 | 第65-71页 |
| 5.6.1 增益测试结果分析 | 第68-69页 |
| 5.6.2 阻抗匹配测试结果分析 | 第69-70页 |
| 5.6.3 线性度测试结果分析 | 第70页 |
| 5.6.4 噪声测试结果分析 | 第70-71页 |
| 5.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 论文总结 | 第72页 |
| 6.2 工作展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第77-78页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第78-79页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
