| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-48页 |
| 1.1 凝聚态中的拓扑相 | 第12-22页 |
| 1.1.1 量子霍尔效应与TKNN不变量 | 第13-15页 |
| 1.1.2 量子自旋霍尔效应与Z_2不变量 | 第15-18页 |
| 1.1.3 三维拓扑绝缘体 | 第18-22页 |
| 1.2 拓扑绝缘体奇异物性与其器件发展 | 第22-32页 |
| 1.2.1 自旋动量锁定 | 第22-24页 |
| 1.2.2 拓扑表面态的朗道量子化 | 第24-26页 |
| 1.2.3 拓扑表面态的Berry相位 | 第26-27页 |
| 1.2.4 磁性拓扑绝缘体 | 第27-28页 |
| 1.2.5 拓扑绝缘体中诱导的超导现象 | 第28-30页 |
| 1.2.6 拓扑绝缘体异质结 | 第30-32页 |
| 1.3 丰富多样的新型拓扑物态 | 第32-48页 |
| 1.3.1 拓扑晶态绝缘体 | 第33-34页 |
| 1.3.2 拓扑半金属 | 第34-39页 |
| 1.3.3 拓扑半金属的奇异物性 | 第39-43页 |
| 1.3.4 二类拓扑半金属 | 第43-48页 |
| 第二章 实验技术与方法 | 第48-64页 |
| 2.1 晶体生长方法 | 第48-52页 |
| 2.1.1 熔炼法 | 第48页 |
| 2.1.2 布里奇曼法 | 第48-49页 |
| 2.1.3 助熔剂法 | 第49-50页 |
| 2.1.4 化学气相输运 | 第50-51页 |
| 2.1.5 分子束外延 | 第51-52页 |
| 2.1.6 水热/溶剂热法 | 第52页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第52-64页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第53-54页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第54-55页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第55-56页 |
| 2.2.4 能量色散X射线光谱 | 第56页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第56-57页 |
| 2.2.6 角分辨光电子能谱 | 第57-61页 |
| 2.2.7 低温强场测量系统 | 第61-64页 |
| 第三章 Sb_2Te_3/Bi_2Te_3横向异质结的溶剂热合成与输运测量 | 第64-80页 |
| 3.1 背景介绍 | 第64-65页 |
| 3.2 横向异质结构的合成与表征 | 第65-71页 |
| 3.3 异质结界面的横向外延生长 | 第71-73页 |
| 3.4 器件加工及输运测量 | 第73-78页 |
| 3.5 本章总结 | 第78-80页 |
| 第四章 PdTe_2中的非平庸Berry相位及二类狄拉克半金属性质 | 第80-96页 |
| 4.1 背景介绍 | 第80-81页 |
| 4.2 PdTe_2单晶生长与表征 | 第81-83页 |
| 4.3 低温输运性质测量 | 第83-85页 |
| 4.4 dHvA振荡与非平庸Berry相位 | 第85-89页 |
| 4.5 PdTe2_能带结构的第一性原理计算与分析 | 第89-92页 |
| 4.6 PdTe_2的ARPES测量 | 第92-94页 |
| 4.7 本章总结 | 第94-96页 |
| 第五章 Ir_(1-x)Pt_xTe_2中二类狄拉克能带的优化与并存的超导性质 | 第96-112页 |
| 5.1 背景介绍 | 第96-97页 |
| 5.2 二类狄拉克半金属材料的优化思路 | 第97-99页 |
| 5.3 Ir_(1-x)Pt_xTe_2晶体生长与表征 | 第99-103页 |
| 5.4 Ir_(1-x)Pt_xTe_2样品的ARPES测量 | 第103-107页 |
| 5.5 Ir_(1-x)Pt_xTe_2中的超导性质 | 第107-110页 |
| 5.6 本章总结 | 第110-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-118页 |
| 6.1 本文总结 | 第112-113页 |
| 6.2 未来展望 | 第113-118页 |
| 参考文献 | 第118-148页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第148-150页 |
| 致谢 | 第150-152页 |
