| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-45页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 相掺杂对过渡金属硫族化合物电子结构的调控 | 第13-16页 |
| 1.3 二硫化铼(ReS_2)的性质 | 第16-28页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第16-18页 |
| 1.3.2 电子能带结构 | 第18-20页 |
| 1.3.3 各向异性 | 第20-22页 |
| 1.3.4 激子特性 | 第22-25页 |
| 1.3.5 样品制备 | 第25-28页 |
| 1.4 掺杂氧化物半导体概述 | 第28-33页 |
| 1.4.1 稀磁半导体的发展历程 | 第28-29页 |
| 1.4.2 氧化物稀磁半导体的掺杂类型 | 第29-30页 |
| 1.4.3 掺杂氧化物半导体的磁性起源 | 第30-31页 |
| 1.4.4 TiO_2的掺杂类型 | 第31-33页 |
| 1.5 本论文的出发点和主要研究内容 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-45页 |
| 第二章 相掺杂ReS_2样品的制备和各向异性的激子发光 | 第45-74页 |
| 2.1 引言 | 第45-47页 |
| 2.2 相掺杂ReS_2薄层的制备 | 第47-48页 |
| 2.3 样品的表征 | 第48-58页 |
| 2.4 偏振发光特性的测试 | 第58-59页 |
| 2.5 不同层数样品的激子发光 | 第59-62页 |
| 2.6 不同掺杂浓度样品的激子发光 | 第62-64页 |
| 2.7 激子的偏振特性 | 第64-67页 |
| 2.8 样品的激发谱特征 | 第67-69页 |
| 2.9 各向异性可见光发射的机理 | 第69-70页 |
| 2.10 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第三章 硫掺杂TiO_2的室温铁磁性 | 第74-96页 |
| 3.1 引言 | 第74-75页 |
| 3.2 样品制备 | 第75-76页 |
| 3.3 表征仪器和方法 | 第76页 |
| 3.4 结构表征 | 第76-89页 |
| 3.5 铁磁性表征 | 第89-91页 |
| 3.6 铁磁性起源 | 第91-92页 |
| 3.7 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第四章 结论与展望 | 第96-100页 |
| 4.1 结论 | 第96-98页 |
| 4.2 展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-103页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第103-104页 |