| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 固态照明概述 | 第9-11页 |
| 1.2 LED的发展历史 | 第11-14页 |
| 1.3 GaN基LED的三大技术路线 | 第14-16页 |
| 1.4 LED的性能指标 | 第16-20页 |
| 1.4.1 LED的量子效率 | 第16-18页 |
| 1.4.2 LED的效率droop现象 | 第18-20页 |
| 1.5 载流子的匹配度—效率提升的关键 | 第20-25页 |
| 1.5.1 GaN的p型掺杂 | 第20-22页 |
| 1.5.2 电子阻挡层对空穴的注入的影响 | 第22-23页 |
| 1.5.3 V型坑对空穴注入的影响 | 第23-25页 |
| 1.6 本论文结构安排 | 第25-26页 |
| 第2章 Si衬底GaN基LED外延生长、器件制备及性能表征方法 | 第26-36页 |
| 2.1 Si衬底GaN基LED的外延生长 | 第26-29页 |
| 2.1.1 GaN基LED外延生长技术 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Si衬底GaN基LED外延生长工艺 | 第27-29页 |
| 2.2 Si衬底GaN基LED的器件制造 | 第29-31页 |
| 2.3 GaN基LED的性能表征方法 | 第31-36页 |
| 2.3.1 高分辨率X射线衍射(HRXRD) | 第31-32页 |
| 2.3.2 二次离子质谱仪(SIMS) | 第32-34页 |
| 2.3.3 电致发光测试技术(EL) | 第34-36页 |
| 第3章 p型AlGaN中Mg预通对GaN基LED光电性能的影响 | 第36-53页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 实验 | 第37-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-50页 |
| 3.3.1 p-AlGaNEBLMg预通对蓝光、绿光和黄光LEDp-AlGaNEBL掺杂浓度的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.2 p-AlGaNEBLMg预通对蓝光LED光电性能的影响 | 第40-44页 |
| 3.3.3 p-AlGaNEBLMg预通对绿光LED光电性能的影响 | 第44-48页 |
| 3.3.4 p-AlGaNEBLMg预通对黄光LED光电性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-53页 |
| 第4章 限制阱和发光阱相组合的量子阱结构对InGaN/GaN绿光LED光电性能的影响 | 第53-63页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 实验 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 总结 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70页 |
