| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题背景 | 第11-12页 |
| 1.2 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 | 第12-15页 |
| 1.2.1 红外探测器的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.2.2 三种不同跃迁形式的QWIP | 第14-15页 |
| 1.3 GaAs/AlGaAs超晶格量子阱材料 | 第15-20页 |
| 1.3.1 GaAs/AlGaAs材料能带结构 | 第15-18页 |
| 1.3.2 GaAs/AlGaAs材料的光学性质 | 第18-20页 |
| 1.4 本文研究目的及主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 样品制备方法及测试方法 | 第21-37页 |
| 2.1 超晶格量子阱材料的制备方法 | 第21-26页 |
| 2.1.1 分子束外延（MBE）的基本原理 | 第22-24页 |
| 2.1.2 MBE生长机理 | 第24-25页 |
| 2.1.3 MBE控制生长的关键参数 | 第25-26页 |
| 2.2 材料分析测试方法 | 第26-36页 |
| 2.2.1 结构特性分析 | 第26-28页 |
| 2.2.2 表面形貌观测 | 第28-33页 |
| 2.2.3 光学性能测试 | 第33-36页 |
| 2.3 小结 | 第36-37页 |
| 第三章 GaAs/AlGaAs能带计算及结构设计 | 第37-53页 |
| 3.1 GaAs/AlGaAs能态分布模拟 | 第37-51页 |
| 3.1.1 一维有限深势阱模型 | 第37-43页 |
| 3.1.2 Kronig-Penny模型 | 第43-48页 |
| 3.1.3 超晶格量子阱红外探测波长模拟计算 | 第48-51页 |
| 3.2 GaAs/AlGaAs样品结构设计 | 第51-52页 |
| 3.3 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 材料生长制备及质量表征 | 第53-66页 |
| 4.1 材料制备工艺 | 第53-55页 |
| 4.1.1 分子束外延设备 | 第53-54页 |
| 4.1.2 GaAs/AlGaAs的衬底选择 | 第54页 |
| 4.1.3 GaAs/AlGaAs的MBE生长过程及工艺参数 | 第54-55页 |
| 4.2 GaAs/AlGaAs样品质量表征分析 | 第55-65页 |
| 4.2.1 结构特性测试结果分析 | 第55-60页 |
| 4.2.2 AFM观测表面形貌结果分析 | 第60-63页 |
| 4.2.3 SEM观测表面形貌结果分析 | 第63-65页 |
| 4.3 小结 | 第65-66页 |
| 第五章 GaAs/AlGaAs材料光学性能研究 | 第66-75页 |
| 5.1 半导体材料发光机理 | 第66-68页 |
| 5.1.1 半导体体材料发光机理 | 第66-67页 |
| 5.1.2 半导体量子阱材料发光机理 | 第67-68页 |
| 5.2 GaAs/AlGaAs光致发光性能分析 | 第68-74页 |
| 5.2.1 光致发光实验结果 | 第68-69页 |
| 5.2.2 GaAs/AlGaAs样品光致发光谱分析 | 第69-74页 |
| 5.3 小结 | 第74-75页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第75-77页 |
| 6.1 主要工作与结论 | 第75-76页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第83页 |