| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 高导电纯铜 | 第10-14页 |
| 1.1.1 导体铜的发展史 | 第10页 |
| 1.1.2 单晶铜制备方法及特点 | 第10-11页 |
| 1.1.3 国内外单晶铜研究现状 | 第11页 |
| 1.1.4 单晶铜强化 | 第11-14页 |
| 1.2 单晶铜强化工艺 | 第14-18页 |
| 1.2.1 大塑性变形种类及优势 | 第15-17页 |
| 1.2.2 选定单晶铜SPD强化工艺 | 第17-18页 |
| 1.3 纯铜微合金化 | 第18-20页 |
| 1.3.1 高强高导铜合金发展史。 | 第18-19页 |
| 1.3.2 高强高导铜合金国内外研究现状 | 第19页 |
| 1.3.3 选取合金元素及强化工艺 | 第19-20页 |
| 1.4 课题研究意义和研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方案 | 第21-28页 |
| 2.1 技术路线 | 第21-22页 |
| 2.2 实验材料 | 第22-23页 |
| 2.3 ECAP模具与挤压设备 | 第23-24页 |
| 2.4 制备Cu-Zr-Si合金试样 | 第24-25页 |
| 2.5 微观组织 | 第25-27页 |
| 2.5.1 光学组织 | 第25-26页 |
| 2.5.2 晶粒宏观取向 | 第26页 |
| 2.5.3 电子背散射衍射(EBSD) | 第26-27页 |
| 2.6 力学性能 | 第27页 |
| 2.7 导电性能 | 第27-28页 |
| 第三章 ECAP中单晶铜的形变结构 | 第28-51页 |
| 3.1 单晶铜在ECAP中的形变结构 | 第28-38页 |
| 3.2 单晶铜在不同路径、内角ECAP变形中的组织演变 | 第38-39页 |
| 3.3 单晶铜在ECAP中的宏观取向 | 第39-41页 |
| 3.4 单晶铜在ECAP中的织构 | 第41-46页 |
| 3.5 单晶铜经不同路径、模具后ECAP织构演变 | 第46-47页 |
| 3.6 单晶铜在变形过程中的晶界角度分布 | 第47-49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 ECAP中单晶铜的导电性及力学性能 | 第51-64页 |
| 4.1 单晶铜在ECAP中的力学性能 | 第51-56页 |
| 4.2 单晶铜在ECAP中的导电性能 | 第56-58页 |
| 4.3 单晶铜在ECAP中影响导电率和强度因素 | 第58-59页 |
| 4.4 拉伸断口形貌 | 第59-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 低温(液氮)ECAP过程中铸态Cu-Zr-Si合金组织和性能 | 第64-74页 |
| 5.1 时效对合金的组织及性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.1.1 时效后合金的硬度及导电率 | 第64-65页 |
| 5.1.2 时效前合金的组织 | 第65页 |
| 5.2 时效后Cu-Zr-Si合金的微观组织和性能 | 第65-72页 |
| 5.2.1 时效温度为350℃合金的微观组织和性能 | 第65-68页 |
| 5.2.2 时效温度为450℃合金的微观组织和性能 | 第68-70页 |
| 5.2.3 时效温度为500℃合金的微观组织和性能 | 第70-72页 |
| 5.3 Cu-Zr-Si合金的断口形貌 | 第72-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第82页 |
