| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 向列相液晶中指向矢的自发扭曲形变 | 第7-8页 |
| 1.1.1 液晶微滴中指向矢的自发扭曲形变 | 第7页 |
| 1.1.2 纳米结构表面引起指向矢的自发扭曲形变 | 第7-8页 |
| 1.2 液晶中的缺陷和Landau-de Gennes理论 | 第8-9页 |
| 1.3 液晶盒中的缺陷在显示应用技术中的体现 | 第9-10页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 几何模型和理论方法 | 第11-19页 |
| 2.1 几何模型 | 第11-14页 |
| 2.2 理论方法 | 第14-19页 |
| 2.2.1 自由能密度 | 第15-16页 |
| 2.2.2 约化变量 | 第16-17页 |
| 2.2.3 数值计算 | 第17-19页 |
| 第三章 无外场时指向矢自发扭曲现象的分析 | 第19-25页 |
| 3.1 Cell I中指向矢的自发扭曲形变 | 第19-21页 |
| 3.2 Cell Ⅱ中指向矢的自发扭曲形变 | 第21-22页 |
| 3.3 指向矢自发扭曲形变的分析 | 第22-25页 |
| 3.3.1 自发扭曲形变与缺陷之间的关系 | 第22-23页 |
| 3.3.2 自发扭曲形变与液晶弹性各向异性之间的关系 | 第23页 |
| 3.3.3 液晶盒出现某些显示类不良的解释 | 第23-25页 |
| 第四章 电场作用下缺陷结构的变化 | 第25-35页 |
| 4.1 垂直于基板方向电场的影响 | 第25-27页 |
| 4.1.1 介电效应 | 第25-26页 |
| 4.1.2 挠曲电效应 | 第26-27页 |
| 4.2 沿向错线方向电场的影响 | 第27-35页 |
| 4.2.1 盒厚d=7.5ξ_0 时cell Ⅱ中的有序重构现象 | 第28-31页 |
| 4.2.2 有序重构过程随盒厚的变化 | 第31-35页 |
| 第五章 结论 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 附录 | 第39-45页 |
| 附录A 介电效应和挠曲电效应自由能密度公式的推导过程 | 第39-40页 |
| 附录B 平衡态方程和边界条件方程的推导过程 | 第40-45页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
