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内嵌配置存储器的CPLD的设计与实现

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 可编程逻辑器件的发展第11-12页
    1.2 CPLD及其配置存储器现状第12-14页
    1.3 本文主要工作第14-15页
    1.4 本论文的结构安排第15-16页
第二章 顶层架构设计及实施方案第16-24页
    2.1 工作原理第16-17页
    2.2 整体架构设计第17-18页
    2.3 工艺方案第18-19页
    2.4 芯片关键参数及相关设计第19-22页
    2.5 本章小结第22-24页
第三章 内部配置关键技术点及相关模块设计第24-45页
    3.1 功能配置的实现方式第24-30页
        3.1.1 功能配置架构第24页
        3.1.2 非易失存储器选择第24-26页
        3.1.3 关键技术点第26-30页
            3.1.3.1 突破内嵌EEPROM阵列设计技术第26-28页
            3.1.3.2 实现高速灵敏放大器设计技术第28-29页
            3.1.3.3 时序模型建立技术第29-30页
    3.2 在系统编程模块设计第30-35页
        3.2.1 功能概述第30-31页
        3.2.2 编程流程及状态机设计第31-35页
        3.2.3 后端实现第35页
    3.3 编程数据流所需模块第35-44页
        3.3.1 功能概述第35-36页
        3.3.2 SRAM第36-38页
            3.3.2.1 SRAM电路设计第36-37页
            3.3.2.2 SRAM版图设计第37-38页
        3.3.3 移位寄存器链设计第38-44页
            3.3.3.1 移位寄存器链电路设计第38-42页
            3.3.3.2 移位寄存器链版图设计第42-44页
    3.4 本章小结第44-45页
第四章 整体电路及版图设计第45-85页
    4.1 主要数字模块第45-49页
        4.1.1 逻辑阵列块第45-46页
        4.1.2 IO控制单元第46-47页
        4.1.3 可编程互联线阵列第47页
        4.1.4 乘积项扩展逻辑第47-49页
            4.1.4.1 分享式扩展乘积项第48页
            4.1.4.2 并行式扩展乘积项第48-49页
    4.2 主要模拟模块第49-59页
        4.2.1 低压差线性稳压器第49-53页
        4.2.2 振荡器第53-57页
        4.2.3 灵敏放大器第57-59页
    4.3 IO相关设计第59-72页
        4.3.1 ESD第59-62页
        4.3.2 热插拔第62-72页
    4.4 芯片顶层设计第72-84页
        4.4.1 顶层电路设计第72-74页
        4.4.2 顶层版图设计第74-78页
            4.4.2.1 内核设计第75-76页
            4.4.2.2 IO的布局第76-77页
            4.4.2.3 模拟模块的布局第77页
            4.4.2.4 电源地网络的布局第77-78页
        4.4.3 可测性设计第78-80页
        4.4.4 封装设计第80-84页
    4.5 本章小结第84-85页
第五章 芯片测试方案及实测结果第85-90页
    5.1 芯片测试方案第85-87页
    5.2 芯片功能实测结果第87-88页
    5.3 芯片参数实测结果第88-89页
    5.4 本章小结第89-90页
第六章 结论第90-91页
    6.1 本文的主要贡献第90页
    6.2 下一步工作的展望第90-91页
致谢第91-92页
参考文献第92-94页

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