| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| ·基准源在集成电路中的作用 | 第10-11页 |
| ·基本基准源电路 | 第11-13页 |
| ·齐纳二极管实现基准源 | 第11页 |
| ·带隙基准源 | 第11-13页 |
| ·基准源的主要性能指标 | 第13-15页 |
| ·片上系统（SOC）应用对于电路的影响 | 第15-16页 |
| ·本文的目标 | 第16-18页 |
| 第二章 基准源电路分析 | 第18-29页 |
| ·电路工作点分析 | 第18-20页 |
| ·电路原理图 | 第18-19页 |
| ·电路的输出电压 | 第19-20页 |
| ·基准源的温度系数 | 第20-22页 |
| ·基准源的电源电压抑制比 | 第22-24页 |
| ·基准源的噪声分析 | 第24-28页 |
| ·噪声幅值分布 | 第24-25页 |
| ·电阻的噪声 | 第25页 |
| ·MOS 器件的噪声 | 第25-26页 |
| ·双极型器件的噪声 | 第26页 |
| ·基准源的系统噪声 | 第26-28页 |
| ·本章总结 | 第28-29页 |
| 第三章 基准源电路中的非理想因素 | 第29-36页 |
| ·运算放大器的失调对于基准源的影响 | 第29-31页 |
| ·电流镜失调与沟道长度调制效应对于基准源的影响 | 第31-33页 |
| ·电流镜M_1与M_2存在的失调 | 第31-32页 |
| ·电流镜M_1与M_4存在失调 | 第32-33页 |
| ·电流镜的沟道长度调制效应 | 第33页 |
| ·电阻器件零漂与失配对基准源的影响 | 第33-34页 |
| ·双极型晶体管厄利电压对于基准源的影响 | 第34-35页 |
| ·本章总结 | 第35-36页 |
| 第四章 低温漂，高电源电压抑制的基准源的设计 | 第36-48页 |
| ·整体电路图 | 第37-38页 |
| ·预电压调整器的设计 | 第38-39页 |
| ·基准源核心电路与运算放大器的设计 | 第39-42页 |
| ·核心电路中的曲率补偿 | 第39-40页 |
| ·运算放大器的设计 | 第40-41页 |
| ·电路其他部分的设计 | 第41-42页 |
| ·基准源电路的仿真结果 | 第42-47页 |
| ·本章总结 | 第47-48页 |
| 第五章 基准源的应用 | 第48-71页 |
| ·低压降线性调整器的设计 | 第48-59页 |
| ·低压降线性调整器拓扑结构的选择 | 第49-50页 |
| ·误差放大器的设计 | 第50-52页 |
| ·输出缓冲级的设计 | 第52-53页 |
| ·频率补偿 | 第53-54页 |
| ·仿真结果 | 第54-59页 |
| ·高精度温度传感器的设计 | 第59-66页 |
| ·传感器电路原理及分析 | 第59-61页 |
| ·利用电流镜增益随温度变化进行高阶补偿 | 第61-62页 |
| ·输出缓冲放大器的设计 | 第62-63页 |
| ·仿真结果 | 第63-66页 |
| ·输出缓冲器的设计 | 第66-70页 |
| ·电路设计 | 第66-69页 |
| ·仿真结果 | 第69-70页 |
| ·本章总结 | 第70-71页 |
| 第六章 版图设计及测试结果 | 第71-80页 |
| ·MOS 器件的匹配 | 第71-72页 |
| ·电阻的匹配 | 第72-73页 |
| ·系统中电源及其应用部分版图设计 | 第73-75页 |
| ·系统的测试 | 第75-79页 |
| ·测试环境 | 第79页 |
| ·本章总结 | 第79-80页 |
| 第七章 总结 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第87-88页 |
| 附录 | 第88-93页 |
| 附录1A：IBM工艺下电源电压内部电路设计图及模块电路设计图 | 第88-89页 |
| 附录1B: IBM工艺下电源电压内部电路设计图及模块电路设计图续 | 第89-90页 |
| 附录2：IBM工艺下MEMS加速度计总拼版图 | 第90-91页 |
| 附录3A：IBM工艺下ADC电路中电源部分及运算放大器版图设计 | 第91-92页 |
| 附录3B: IBM工艺下ADC电路中电源部分及运算放大器版图设计续 | 第92-93页 |
