| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 集成光学 | 第10页 |
| 1.2 铌酸锂晶体 | 第10-11页 |
| 1.3 铌酸锂晶体的掺杂改性 | 第11-12页 |
| 1.4 本文的意义及主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 铌酸锂晶体中离子的扩散理论 | 第14-27页 |
| 2.1 固体中的物质扩散理论 | 第14-21页 |
| 2.1.1 Fick方程 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Fick方程解的形式 | 第15-21页 |
| 2.2 离子在铌酸锂晶体中的扩散理论与机制 | 第21-27页 |
| 2.2.1 铌酸锂晶体的缺陷模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 扩散机制 | 第22-27页 |
| 第三章 钛扩散铌酸锂波导理论 | 第27-35页 |
| 3.1 Ti离子浓度分布 | 第27-29页 |
| 3.2 折射率模型 | 第29-31页 |
| 3.3 条形波导阵列模式折射率表征 | 第31-35页 |
| 第四章 钛扩散掺铒铌酸锂波导的光放大理论 | 第35-47页 |
| 4.1 Er~（3+）离子的能级模型和速率方程 | 第35-39页 |
| 4.2 发射和吸收截面 | 第39-44页 |
| 4.2.1 掺铒铌酸锂晶体在810nm和860nm频带的发射和吸收截面 | 第41-44页 |
| 4.3 泵浦光、信号光和ASE的演化方程 | 第44-47页 |
| 第五章 气相输运平衡调节铌酸锂晶体组份 | 第47-68页 |
| 5.1 VTE处理的基本原理 | 第47-49页 |
| 5.2 组份表征的双折射方法 | 第49-50页 |
| 5.3 影响VTE处理效果的因素 | 第50-60页 |
| 5.3.1 晶体制备及组份表征 | 第51-52页 |
| 5.3.2 温度对VTE效果的影响 | 第52-54页 |
| 5.3.3 时间对VTE效果的影响 | 第54-56页 |
| 5.3.4 影响VTE处理效果的其它因素 | 第56-60页 |
| 5.4 Li~+扩散系数与晶体组份的关系 | 第60-66页 |
| 5.4.1 晶体制备及组份表征 | 第60-61页 |
| 5.4.2 组份分布 | 第61-63页 |
| 5.4.3 Li~+扩散系数与组份的关系 | 第63-66页 |
| 5.5 本章总结 | 第66-68页 |
| 第六章 局域高掺铒铌酸锂晶体的制备及表征 | 第68-85页 |
| 6.1 局域高掺铒铌酸锂晶体的制备 | 第68-77页 |
| 6.1.1 制备过程及表面组份表征 | 第68-70页 |
| 6.1.2 Er~（3+）离子的浓度分布和扩散系数 | 第70-74页 |
| 6.1.3 Er~（3+）离子溶解度 | 第74-77页 |
| 6.2 局域铒掺杂钛扩散铌酸锂波导的扩散特性研究 | 第77-84页 |
| 6.2.1 波导制备及表征 | 第77-78页 |
| 6.2.2 Ti和Er离子的扩散特性 | 第78-84页 |
| 6.3 本章总结 | 第84-85页 |
| 第七章 局域高掺铒钛扩散铌酸锂光波导的制备及表征 | 第85-105页 |
| 7.1 波导的制备 | 第85-87页 |
| 7.2 模场分布 | 第87-90页 |
| 7.3 ASE及发射、吸收截面 | 第90-92页 |
| 7.4 传输损耗 | 第92-94页 |
| 7.5 信号增强因子 | 第94-96页 |
| 7.6 光传输模型的数值模拟 | 第96-103页 |
| 7.6.1 980 nm光泵浦 | 第96-100页 |
| 7.6.2 1480 nm光泵浦 | 第100-103页 |
| 7.7 本章总结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-110页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第110-113页 |
| 致谢 | 第113页 |