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Ti-Si-N界面相形成条件的第一性原理研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-22页
    1.1 纳米复合材料第8-9页
    1.2 Ti-Si-N 的界面特性第9-11页
    1.3 晶界与晶粒的物理、化学行为第11-14页
        1.3.1 晶界强化效应第11-12页
        1.3.2 晶界与晶粒的关系第12-14页
    1.4 Ti-Si-N 的研究历程第14-20页
    1.5 课题研究的目的与意义第20-22页
2 研究方法第22-28页
    2.1 研究方法的选择第22-23页
    2.2 第一性原理方法第23-24页
    2.3 Born-Oppenheimer 近似第24页
    2.4 密度泛函理论(DFT)第24-27页
        2.4.1 Hohenberg-Kohn 定理第24-25页
        2.4.2 Kohn-Sham 近似第25-26页
        2.4.3 自洽 Kohn-Sham 方程第26页
        2.4.4 交互关联函数近似第26-27页
    2.5 计算所使用的软件(VASP)第27-28页
3 Ti-Si-N 界面结构形成过程第28-53页
    3.1 3N-1Ti-1Si 五粒子岛的两种演变模型及激活能的大小第28-34页
        3.1.1 计算方法和模型第28-30页
        3.1.2 计算结果与讨论第30-31页
        3.1.3 构型演变的激活能第31-34页
        3.1.4 小结第34页
    3.2 4N-1Ti-1Si 六粒子岛的两种演变模型及激活能的大小第34-37页
        3.2.1 模型的建立第34-36页
        3.2.2 构型演变的激活能第36-37页
        3.2.3 小结第37页
    3.3 3N-2Ti-1Si 六粒子岛的两种演变模型及激活能的大小第37-41页
        3.3.1 模型的建立第38-39页
        3.2.2 构型演变的激活能第39-40页
        3.2.3 小结第40-41页
    3.4 4N-2Ti-1Si 七粒子岛的两种演变模型及激活能的大小第41-44页
        3.4.1 模型的建立第41-42页
        3.4.2 构型演变的激活能第42-43页
        3.4.3 小结第43-44页
    3.5 4N-3Ti-1Si 八粒子岛的两种演变模型及激活能的大小第44-47页
        3.5.1 模型的建立第44-45页
        3.5.2 构型演变的激活能第45-46页
        3.5.3 小结第46-47页
    3.6 4N-4Ti-1Si 九粒子岛的两种演变模型及激活能的大小第47-50页
        3.6.1 模型的建立第47-48页
        3.6.2 构型演变的激活能第48-49页
        3.6.3 小结第49-50页
    3.7 本章总结第50-53页
4 TiN(2D)岛生长形状第53-62页
    4.1 Ti、Si、N 沿 TiN (110)方向上的迁移行为第54-57页
    4.2 Ti-N(001)方向上粒子在 2D 岛周边的迁移行为第57页
    4.3 Ti-N(001)方向上 TiN(2D)岛生长推演第57-61页
        4.3.1 2×2 到 4×4 TiN(2D)岛构型的演变过程第57-59页
        4.3.2 6Ti-6N 岛基础上 TiN(2D)岛构型的另一种演变过程第59-61页
    4.4 本章总结第61-62页
5 全文工作总结及展望第62-64页
    5.1 工作总结第62-63页
    5.2 工作展望第63-64页
参考文献第64-72页
索引第72-76页
    图的列表第72-73页
    表格列表第73-74页
    主要缩写列表第74-76页
在学研究成果第76-77页
致谢第77页

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