| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的与意义 | 第8-9页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 课题研究的目的及意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第9-11页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第11页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第2章 浸没单元的结构对浸没液流动的影响 | 第13-28页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 构建稳定流动后的定常流场模型 | 第13-16页 |
| 2.3 浸没单元结构参数对浸没液流动的影响分析 | 第16-27页 |
| 2.3.1 改变入射/回收口的宽度 | 第16-19页 |
| 2.3.2 改变入射/回收口倾角 | 第19-22页 |
| 2.3.3 改变入射/回收口环向张开角度 | 第22-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 硅晶片振荡运动下的浸没场流动分析 | 第28-51页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 硅晶片振荡运动下的浸没场流动分析 | 第29-42页 |
| 3.2.1 硅晶片振荡运动的简化 | 第29-30页 |
| 3.2.2 硅晶片振荡运动下的浸没流场模型 | 第30-37页 |
| 3.2.3 硅晶片振荡运动对浸没流场最小外加压强梯度的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.4 浸没流场厚度对浸没流场最小外加压强梯度的影响 | 第40-42页 |
| 3.3 步进-扫描式曝光过程的数值仿真模拟 | 第42-49页 |
| 3.3.1 二维浸没流场扫描过程的数值仿真模拟 | 第42-45页 |
| 3.3.2 三维浸没流场步进-扫描过程的数值仿真模拟 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 浸没流场的局部光热效应分析 | 第51-68页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 浸没流场传热过程分析 | 第51-53页 |
| 4.3 浸没流场的局部光热效应分析 | 第53-67页 |
| 4.3.1 二维浸没流场曝光模型 | 第53-54页 |
| 4.3.2 静止浸没场的局部光热效应 | 第54-57页 |
| 4.3.3 硅晶片稳定拖动下的浸没场局部传热 | 第57-60页 |
| 4.3.4 硅晶片振荡拖动下的浸没场局部传热 | 第60-63页 |
| 4.3.5 外加压强对浸没场局部传热的影响 | 第63-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
