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光学光刻工艺中的光强分布模拟

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 研究背景第8-9页
    1.2 本课题的工作及意义第9-10页
    1.3 论文内容安排第10-12页
第二章 光刻模拟技术第12-24页
    2.1 光学系统模拟第12-16页
        2.1.1 接触式/接近式光刻系统第13-14页
        2.1.2 投影式光刻系统第14-16页
    2.2 衍射模拟第16-21页
        2.2.1 标量衍射理论第16-18页
        2.2.2 矢量衍射理论第18-21页
    2.3 光刻胶模拟第21-22页
        2.3.1 光刻胶及其性能评价指标第21页
        2.3.2 光化学反应机理第21-22页
    2.4 本章小结第22-24页
第三章 光刻全过程框架第24-30页
    3.1 曝光第25-27页
    3.2 后烘第27-28页
    3.3 显影第28-29页
    3.4 本章小结第29-30页
第四章 基于波导法的光强分布模型第30-52页
    4.1 二维WG数学模型第31-40页
        4.1.1 垂直入射第31-39页
        4.1.2 倾斜入射第39页
        4.1.3 提取光强分布第39-40页
    4.2 三维WG数学模型第40-47页
        4.2.1 三维特征值公式第40-42页
        4.2.2 边界条件第42-47页
        4.2.3 入射场振幅第47页
    4.3 算法流程介绍第47-50页
    4.4 本章小结第50-52页
第五章 模拟结果与实验分析第52-70页
    5.1 垂直光刻模型结果第52-62页
        5.1.1 光强分布模拟第52-60页
        5.1.2 三维显影形貌分析第60-62页
    5.2 倾斜入射模型结果第62-67页
        5.2.1 光强分布模拟第62-66页
        5.2.2 三维显影形貌分析第66-67页
    5.3 算法性能第67-69页
    5.4 本章小结第69-70页
第六章 总结与展望第70-72页
    6.1 总结第70-71页
    6.2 展望第71-72页
致谢第72-74页
参考文献第74-78页
作者简介第78页

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