| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 有机场效应晶体管 | 第8-10页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管工作原理 | 第8-9页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管基本参数 | 第9-10页 |
| 1.2 有机单晶场效应晶体管 | 第10-17页 |
| 1.2.1 有机单晶生长 | 第10-13页 |
| 1.2.2 有机单晶场效应晶体管制备 | 第13-17页 |
| 1.3 酞菁类有机场效应晶体管 | 第17-22页 |
| 1.4 本论文的选题依据及研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 ZnPc微纳单晶生长及表征 | 第23-31页 |
| 2.1 ZnPc材料介绍 | 第23-24页 |
| 2.2 ZnPc微纳单晶生长 | 第24-25页 |
| 2.3 ZnPc微纳单晶表征 | 第25-30页 |
| 2.3.1 ZnPc纳米带SEM和AFM表征 | 第26-27页 |
| 2.3.2 ZnPc纳米带XRD表征 | 第27页 |
| 2.3.3 ZnPc纳米带TEM和偏振光学显微镜表征 | 第27-29页 |
| 2.3.4 ZnPc纳米带吸收和反射表征 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 ZnPc微纳单晶场效应晶体管电学性能 | 第31-42页 |
| 3.1 ZnPc微纳单晶场效应晶体管制备 | 第31页 |
| 3.2 ZnPc微纳单晶场效应晶体管电学性能 | 第31-33页 |
| 3.3 不同绝缘层对ZnPc微纳单晶场效应晶体管性能优化 | 第33-40页 |
| 3.3.1 p-6P修饰SiO_2为绝缘层的ZnPc微纳单晶场效应晶体管电学性能 | 第34-35页 |
| 3.3.2 OTS修饰SiO_2为绝缘层的ZnPc微纳单晶场效应晶体管电学性能 | 第35-37页 |
| 3.3.3 FOTS修饰SiO_2为绝缘层的ZnPc微纳单晶场效应晶体管电学性能 | 第37-39页 |
| 3.3.4 PMMA为绝缘层的ZnPc微纳单晶场效应晶体管电学性能 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 ZnPc微纳单晶场效应晶体管光电性能 | 第42-54页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 白光光照下ZnPc微纳单晶场效应晶体管光电性能 | 第43-44页 |
| 4.3 不同单色光光照下ZnPc微纳单晶场效应晶体管光电性能 | 第44-47页 |
| 4.4 651 nm单色光光照下ZnPc微纳单晶场效应晶体管光电性能 | 第47-53页 |
| 4.4.1 光强对ZnPc微纳单晶场效应晶体管的影响 | 第49-51页 |
| 4.4.2 VG、VSD和 μ 对ZnPc微纳单晶场效应晶体管的影响 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在学期间公开发表论文及参加会议情况 | 第61页 |
