| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 Talbot效应简介 | 第11-14页 |
| 1.1.1 Talbot效应的定义及特点 | 第11-13页 |
| 1.1.2 Talbot效应的发展过程及现状 | 第13-14页 |
| 1.2 Talbot效应的应用 | 第14-23页 |
| 1.2.1 Talbot效应在光学测量中的应用 | 第14-15页 |
| 1.2.2 Talbot效应在X-ray成像技术中的应用 | 第15-18页 |
| 1.2.3 Talbot效应在多重成像中的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.4 Talbot阵列光分束器 | 第19-23页 |
| 2 畴极化掺镁铌酸锂晶体的特性及制备 | 第23-32页 |
| 2.1 掺镁铌酸锂晶体简介 | 第23-25页 |
| 2.2 畴极化掺镁铌酸锂晶体的制备 | 第25-29页 |
| 2.2.1 掩模板的设计与晶体光刻 | 第25-26页 |
| 2.2.2 铁电畴在外加电场下的生长过程简介 | 第26-28页 |
| 2.2.3 掺镁铌酸锂晶体畴极化反转过程 | 第28-29页 |
| 2.3 铁电畴结构周期反转的观察方法 | 第29-32页 |
| 3 二维可调位相阵列光分束器的理论研究 | 第32-42页 |
| 3.1 Talbot阵列光分束器的衍射方程 | 第32-34页 |
| 3.2 计算机数值模拟与讨论 | 第34-40页 |
| 3.2.1 泰伯分数β对阵列光分束器近场衍射光强分布的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.2 占空比D对阵列光分束器近场衍射光强分布的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 位相差Δφ对阵列光分束器近场衍射光强分布的影响 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 掺镁铌酸锂位相可调阵列光分束器的制备及其Talbot效应 | 第42-57页 |
| 4.1 电光调制可调位相阵列光分束器 | 第42-45页 |
| 4.1.1 电光调制可调位相阵列光分束器的原理 | 第42-43页 |
| 4.1.2 电光调制PPMgLN可调位相阵列光分束器的制备及其通光实验 | 第43-45页 |
| 4.2 畴腐蚀可调位相阵列光分束器 | 第45-55页 |
| 4.2.1 畴腐蚀可调位相阵列光分束器的原理 | 第45-46页 |
| 4.2.2 畴腐蚀PPMgLN阵列光分束器的制备及其通光实验 | 第46-48页 |
| 4.2.3 畴腐蚀阵列光分束器Talbot衍射成像实验结果及分析 | 第48-55页 |
| 4.2.3.1 泰伯分数β对阵列光分束器近场衍射光强分布的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3.2 不同占空比D的畴腐蚀阵列光分束器的Talbot成像 | 第49-51页 |
| 4.2.3.3 不同腐蚀深度d的畴腐蚀阵列光分束器的分数Talbot效应 | 第51-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 5 结论及展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第62-64页 |
| 学位论文数据集 | 第64页 |
