| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| ·OFET 的研究背景及意义 | 第13-17页 |
| ·OFET 的研究背景 | 第13-14页 |
| ·OFET 的研究意义 | 第14-17页 |
| ·OFET 面临的问题 | 第17-19页 |
| ·OFET 的研究现状 | 第19-24页 |
| ·有机半导体材料 | 第20-22页 |
| ·绝缘层材料 | 第22-23页 |
| ·电极修饰层材料 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第24-27页 |
| 第2章 有机场效应晶体管的物理基础 | 第27-39页 |
| ·OFET 的基本结构及工作原理 | 第27-31页 |
| ·OFET 的基本结构 | 第27-28页 |
| ·OFET 的工作原理 | 第28-31页 |
| ·OFET 的基本参数 | 第31-35页 |
| ·输出特性曲线与转移特性曲线 | 第32-33页 |
| ·阈值电压 | 第33-34页 |
| ·场效应迁移率 | 第34-35页 |
| ·电流开关比 | 第35页 |
| ·亚阈值斜率 | 第35页 |
| ·OFET 的界面接触效应 | 第35-39页 |
| ·绝缘层表面自组装 OTS 修饰层 | 第36-37页 |
| ·接触电阻 | 第37-39页 |
| 第3章 EuF_3电极修饰层对 CuPc 有机场效应晶体管性能的提升 | 第39-51页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·基于 CuPc 有机场效应晶体管的制备 | 第39-40页 |
| ·器件性能表征 | 第40-46页 |
| ·转移特性曲线 | 第41-42页 |
| ·输出特性曲线 | 第42-44页 |
| ·器件电学性能 | 第44-46页 |
| ·电极与有源层的接触电阻 | 第46-48页 |
| ·电极与有源层的界面势垒 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 EuF_3电极修饰层对 Pentacene 有机场效应晶体管性能的提升 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·基于 Pentacene 有机场效应晶体管的制备 | 第51-52页 |
| ·Pentacene 有机场效应管特性测试 | 第52-56页 |
| ·转移特性曲线 | 第52-54页 |
| ·输出特性曲线 | 第54-56页 |
| ·实验结果与分析 | 第56-58页 |
| ·器件电学性能 | 第56-57页 |
| ·界面偶极势垒 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 EuF_3电极修饰层对PTCDI-C13有机场效应晶体管的影响 | 第59-67页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·基于 PTCDI-C13 场效应晶体管的制备 | 第59-60页 |
| ·PTCDI-C13 场效应晶体管性能测试 | 第60-63页 |
| ·转移特性曲线 | 第60-62页 |
| ·输出特性曲线 | 第62-63页 |
| ·实验结果与分析 | 第63-66页 |
| ·器件的电学性能 | 第63-65页 |
| ·界面能级结构 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 总结与展望 | 第67-71页 |
| ·全文总结 | 第67-68页 |
| ·研究展望 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第79-80页 |
| 指导教师及作者简介 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
